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【24h】

Submicron gap reduction of micro-resonator based on porous silica ridge waveguides manufactured by standard photolithographic process

机译：基于标准光刻工艺制造的基于多孔硅脊波导的微谐振器的亚微米间隙减小

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摘要

In this paper, we demonstrate a new method to obtain a low gap between the access waveguide and the racetrack cavity of a micro-resonator based on porous silica material and using standard photolithographic process. The photolithographic process is first carried out on porous silicon layers to obtain porous silicon ridge waveguides that constitutes the racetrack micro-resonator. Then the full oxidation of the micro-resonator is performed. Because of the volume expansion of silicon that occurs during its full oxidation, the gap is reduced. Lower gaps and then lower coupling distances can be obtained using a low cost photolithographic process compared to e-beam technology. This original method proposed in this paper allows to improve the miniaturization of such porous silica micro-resonators which is of great interest for integrated optical biosensor application.
机译：在本文中，我们演示了一种基于多孔二氧化硅材料并使用标准光刻工艺获得微谐振器的访问波导与跑道腔之间的低间隙的新方法。首先在多孔硅层上进行光刻工艺，以获得构成跑道微谐振器的多孔硅脊形波导。然后，执行微谐振器的完全氧化。由于硅在其完全氧化过程中发生体积膨胀，因此间隙减小了。与电子束技术相比，使用低成本的光刻工艺可以获得更低的间隙，然后更低的耦合距离。本文提出的原始方法可以改善此类多孔二氧化硅微谐振器的小型化，这对于集成光学生物传感器的应用非常重要。

著录项

  • 来源
    《Optical Materials》 |2019年第2期|210-217|共8页
  • 作者

    Lorrain N.; Pirasteh P.; Girault P.; Azuelos P.; Lemaitre J.; Guendouz M.; Hardy I.; Thual M.; Charrier J.;

  • 作者单位

    Univ Rennes, CNRS, Inst Foton, UMR 6082, F-22305 Lannion, France;

    Univ Rennes, CNRS, Inst Foton, UMR 6082, F-22305 Lannion, France;

    Univ Rennes, CNRS, Inst Foton, UMR 6082, F-22305 Lannion, France;

    Univ Rennes, CNRS, Inst Foton, UMR 6082, F-22305 Lannion, France;

    Univ Rennes, CNRS, Inst Foton, UMR 6082, F-22305 Lannion, France;

    Univ Rennes, CNRS, Inst Foton, UMR 6082, F-22305 Lannion, France;

    IMT Atlantique, CNRS, Inst Foton, UMR 6082, F-29238 Brest, France;

    Univ Rennes, CNRS, Inst Foton, UMR 6082, F-22305 Lannion, France;

    Univ Rennes, CNRS, Inst Foton, UMR 6082, F-22305 Lannion, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Micro-resonator; Porous silicon; Oxidation; Technological process; Gap reduction;

    机译：微谐振器多孔硅氧化工艺流程间隙减小;

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