...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Optical Materials >Bulk and interface defects analysis of n-CdS/p-Si heterojunction solar cell
【24h】

Bulk and interface defects analysis of n-CdS/p-Si heterojunction solar cell

机译：N-CDS / P-Si异质结太阳能电池的批量和界面缺陷分析

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Interface defects are detrimental for the performance of n-CdS/p-Si heterojunction solar cells. A model based on simulation studies has been developed in this work to correlate the defect density and the cell performance. Deep trap density, shallow trap density, interface defect density, and electron selective layer thickness are used as simulation parameters. Interface traps are found to be more dominant in deteriorating the device performance than the deep traps and the shallow traps. The effects of Cz-Si and FZ-Si are also studied in terms of trap density. The best efficiency determined through simulation in the present study for n-CdS/p-Si heterojunction solar cell is 18.72%.
机译：界面缺陷对N-CDS / P-Si异质结太阳能电池的性能有害。在这项工作中开发了一种基于仿真研究的模型，以将缺陷密度和细胞性能相关联。深阱密度，浅陷阱密度，界面缺陷密度和电子选择层厚度用作仿真参数。发现界面陷阱在使器件性能恶化而不是深陷阱和浅陷阱时更为主导。 CZ-Si和FZ-Si的效果也在陷阱密度方面进行研究。通过对N-CDS / P-Si异质结太阳能电池进行模拟确定的最佳效率为18.72％。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号