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Room-temperature direct bandgap electroluminesence from Ge-on-Si light-emitting diodes

机译：Ge-on-Si发光二极管的室温直接带隙电致发光

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We report what we believe to be the first demonstration of direct bandgap electroluminescence (EL) fromnGe/Si heterojunction light-emitting diodes (LEDs) at room temperature. In-plane biaxial tensile strain isnused to engineer the band structure of Ge to enhance the direct gap luminescence efficiency by increasingnthe injected electron population in the direct u0001 valley. Room-temperature EL is observed at the direct gapnenergy from a Ge/Si p-i-n diode exhibiting the same characteristics of the direct gap photoluminescence ofnGe. The integral direct gap EL intensity increases superlinearly with electrical current owing to an indirectnvalley filling effect. These results indicate a promising future of tensile-strained Ge-on-Si for electricallynpumped, monolithically integrated light emitters on Si. © 2009 Optical Society of America
机译：我们报告了我们认为是室温下来自nGe / Si异质结发光二极管（LED）的直接带隙电致发光（EL）的首次演示。面内双轴拉伸应变用于设计Ge的能带结构，以通过增加直接在u0001谷中注入的电子种群来增强直接间隙发光效率。在来自Ge / Si p-i-n二极管的直接间隙能下观察到室温EL，表现出与nGe的直接间隙光致发光相同的特性。由于间接谷值填充效应，积分直接间隙EL强度随电流超线性增加。这些结果表明，在硅上进行电泵浦，单片集成的发光体的拉伸应变硅基Ge的前景广阔。 ©2009美国眼镜学会

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