二维V型AlP半导体及其可调直接带隙

毛彩霞; 张玉萍; 薛丽; 杨旭鑫; 胡永红; 吴涛

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二维V型AlP半导体及其可调直接带隙

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一种新型单分子层V型结构磷化铝(V-AlP)二维半导体材料被理论预测,且通过第一性原理计算,它的稳定性和电学性质也得到详细考察.在外加应力和电场作用下,其电子结构被有效地调控.计算结果表明它有很好的稳定性,且具有宽的直接带隙(2.6 eV).在双轴应力下,其带隙可以在(1~2.6 eV)范围内调控.在外加张力的作用下,其直接带隙可以转变成间接带隙.在不同的应力作用下,单层V-AlP的能带结构变化趋势明显不同,因此其表现出对外加应力的各向异性.当外加电场从5 V·nm^(-1)变为10 V·nm^(-1)时,单层V-AlP的带隙可以从0 eV线性调控到2.6 eV.研究结果表明应力和电场都可以有效地改变单层V-AlP的电子能带结构,因此这种二维V-AlP在纳米电子器件中有着广阔的应用前景.

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来源
《华中师范大学学报：自然科学版》 |2021年第4期|547-553|共7页
作者
毛彩霞; 张玉萍; 薛丽; 杨旭鑫; 胡永红; 吴涛;
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作者单位

湖北科技学院电子与信息工程学院;

湖北咸宁437100;

咸宁职业技术学院教务处;

湖北咸宁437100;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体量子理论;
关键词
应力; 电场; 电子能带结构; 稳定性; 第一性原理计算;

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