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Electrically pumped hybrid evanescent Si / InGaAsP lasers

机译：电泵浦混合e逝Si / InGaAsP激光器

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Hybrid Si/III–V, Fabry–Perot evanescent lasers are demonstrated, utilizing InGaAsP as the III–V gain ma-nterial for the first time to our knowledge. The lasing threshold current of 300-u0001m-long devices was as low asn24 mA, with a maximal single facet output power of 4.2 mW at 15°C. Longer devices achieved a maximalnsingle facet output power as high as 12.7 mW, a single facet slope efficiency of 8.4%, and a lasing thresholdncurrent density of 1kA/cm2. Continuous wave laser operation was obtained up to 45°C. The threshold cur-nrent density, output power, and efficiency obtained improve upon those of previously reported devices havingna similar geometry. Facet images indicate that the output light is largely confined to the Si waveguide.
机译：展示了混合Si / III-V，Fabry-Perot ma逝激光，这是我们所知第一次利用InGaAsP作为III-V增益材料。 300-u0001m长的器件的发射阈值电流低至nn24 mA，在15°C时最大单面输出功率为4.2 mW。较长的设备可实现最大单面输出功率高达12.7 mW，单面斜率效率为8.4％，激光阈值电流密度为1kA / cm2。在高达45°C的温度下获得连续波激光操作。获得的阈值电流密度，输出功率和效率比以前报道的具有相似几何形状的设备有所提高。刻面图像表明输出光主要局限在Si波导中。

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