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Electrically pumped hybrid evanescent Si/InGaAsP lasers

机译：电泵浦混合e逝Si / InGaAsP激光器

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Hybrid Si/III-V, Fabry-Perot evanescent lasers are demonstrated, utilizing InGaAsP as the III-V gain material for the first time to our knowledge. The lasing threshold current of 300-(mu)m-long devices was as low as 24 mA, with a maximal single facet output power of 4.2 mW at 15 deg C. Longer devices achieved a maximal single facet output power as high as 12.7 mW, a single facet slope efficiency of 8.4percent, and a lasing threshold current density of 1 kA/cm~(2). Continuous wave laser operation was obtained up to 45 deg C. The threshold current density, output power, and efficiency obtained improve upon those of previously reported devices having a similar geometry. Facet images indicate that the output light is largely confined to the Si waveguide.
机译：据我们所知，首次使用InGaAsP作为III-V增益材料，展示了混合Si / III-V，Fabry-Perot van逝激光器。 300 µm长的器件的发射阈值电流低至24 mA，在15摄氏度时最大单面输出功率为4.2 mW。更长的器件实现了最高单面输出功率，最高为12.7 mW ，单面斜率效率为8.4％，激射阈值电流密度为1 kA / cm〜（2）。在高达45摄氏度的条件下获得了连续波激光操作。所获得的阈值电流密度，输出功率和效率比先前报道的具有类似几何形状的设备有所提高。刻面图像表明输出光主要限于Si波导。

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