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首页> 外文期刊>Organic Electronics >Steric effect of halogen substitution in an unsymmetrical benzothienobenzothiophene organic semiconductor
【24h】

Steric effect of halogen substitution in an unsymmetrical benzothienobenzothiophene organic semiconductor

机译：不对称苯并噻吩并苯并噻吩有机半导体中卤素取代的立体效应

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We report a crystal structure analysis of an unsymmetrical organic semiconductor 2-bromo-7-butyl[l]benzo-thieno[3,2-b][1]benzothiophene (Br-BTBT-C_4) and its transistor characteristics. Unlike the parent compound 2-butyl-[1]benzothieno[3,2-b] [1]benzothiophene (BTBT-C_4) forming a bilayer-type structure composed of head-to-head herringbone packings, Br-BTBT-C_4 forms a dense head-to-tail herringbone packing arranged so as to avoid the steric hindrance between bromine atoms. The intermolecular transfer integrals in Br-BTBT-C_4 suggest its advantage for carrier transport; however, the transistor characteristics of Br-BTBT-C_4 and BTBT-C_4 were found to be almost the same. This is because BTBT-C_4 has a higher crystallinity than Br-BTBT-C_4 in vacuum deposited thin films.
机译：我们报告了不对称有机半导体2-溴-7-丁基[l]苯并噻吩并[3,2-b] [1]苯并噻吩（Br-BTBT-C_4）的晶体结构分析及其晶体管特性。与母体化合物2-丁基-[1]苯并噻吩并[3,2-b] [1]苯并噻吩（BTBT-C_4）形成由头对头人字形填料组成的双层结构不同，Br-BTBT-C_4形式安排密集的头尾尾形人字形填料，以避免溴原子之间的空间位阻。 Br-BTBT-C_4中的分子间转移积分表明了其在载体运输中的优势。然而，发现Br-BTBT-C_4和BTBT-C_4的晶体管特性几乎相同。这是因为在真空沉积的薄膜中，BTBT-C_4具有比Br-BTBT-C_4更高的结晶度。

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