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【24h】

Solution-processed polyfluorene-ZnO nanoparticles ambipolar light-emitting field-effect transistor

机译：固溶处理的聚芴-ZnO纳米粒子双极性发光场效应晶体管

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We report on a solution-processed polyfluorene (PFO)-ZnO nanoparticles composite light-emitting organic field-effect transistor (LE-OFET). The behavior of absorption, photo-luminescence spectra and electroluminescence intensity of the PFO:ZnO hybrid films with different concentration of ZnO nanoparticles is analyzed. By changing the PFO/ZnO nanoparticles concentration ratio the PFO:ZnO OFET shows either unipolar or ambipolar behavior of current-voltage characteristics and operates in the hole/electron accumulation mode with current saturation behavior. The field effect mobility of charge carriers depends on the ZnO concentration. For the ambipolar PFO:ZnO OFET with modest PFO/ZnO nanoparticles ratio (1:0.2), well balanced electron and hole mobility values at 300 K are ~0021 and ~0029cm2/Vs, respectively, whereas for films with high ZnO concentration (1:1) the mobility (~2 cm2/Vs) is close to that of polycrystalline ZnO. The ambipolar PFO:ZnO LE-OFET emits light at both positive and negative gate bias. The working mechanism of the PFO:ZnO LE-OFET is investigated.
机译：我们报告了溶液处理的聚芴（PFO）-ZnO纳米粒子复合发光有机场效应晶体管（LE-OFET）。分析了不同浓度的ZnO纳米颗粒的PFO：ZnO杂化薄膜的吸收行为，光致发光光谱和电致发光强度。通过改变PFO / ZnO纳米粒子的浓度比，PFO：ZnO OFET表现出电流-电压特性的单极性或双极性行为，并在具有电流饱和行为的空穴/电子积累模式下运行。电荷载流子的场效应迁移率取决于ZnO的浓度。对于具有适度PFO / ZnO纳米粒子比率（1：0.2）的双极性PFO：ZnO OFET，在300 K时平衡良好的电子和空穴迁移率值分别为〜0021和〜0029cm2 / Vs，而对于具有高ZnO浓度的薄膜（1 ：1）迁移率（〜2 cm2 / Vs）接近多晶ZnO的迁移率。双极性PFO：ZnO LE-OFET在正和负栅极偏置下均发光。研究了PFO：ZnO LE-OFET的工作机理。

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