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Impact of electrode contamination on the alpha-NPD/Au hole injection barrier

机译：电极污染对alpha-NPD / Au空穴注入壁垒的影响

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This paper addresses the effects of ambient exposure of a polycrystalline Au electrode prior to making contact with the hole-transport material N,N'-diphenyl-N,N'-bis (1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (alpha-NPD). Ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS) and current-voltage (I-V) measurements are used to investigate the resulting hole barrier and charge injection characteristics. UPS measurements show that the hole barrier with the contaminated low work function An electrode is reduced by 0.4-0.6 eV with respect to the barrier with the clean high work function Au electrode. The corresponding interface dipoles are 0.3 eV for the former and 1.3 eV for the latter. I-V measurements confirm this unexpected change in barrier. These results are accounted for using the induced density of interface state model, and considering the role of the contamination layer in reducing the direct interaction between metal and molecules. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：本文探讨了在与空穴传输材料N，N'-联苯-N，N'-双（1-萘基）-1,1'-联苯-4接触之前多晶Au电极在环境中暴露的影响，4′-二胺（α-NPD）。紫外光发射光谱（UPS）和电流-电压（I-V）测量用于研究产生的空穴势垒和电荷注入特性。 UPS测量显示，与低清洁功函数金电极相比，带有低低功函数电极的空穴势垒降低了0.4-0.6 eV。前者对应的界面偶极子为0.3 eV，后者为1.3 eV。 I-V测量证实了这种意外的势垒变化。这些结果是由于使用了界面状态模型的诱导密度，并考虑了污染层在减少金属与分子之间的直接相互作用中的作用。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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