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机译:能量耗散揭示了Si(111)-(7 x 7)的非接触原子力显微镜成像中的原子位移
Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan;
Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan;
Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan;
School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan;
机译:能量耗散在Si(111)的非接触原子力显微镜显微镜中揭示了原子位移 - (7 x 7)
机译:通过非接触原子力显微镜使用端接有/没有原子氢的硅尖端检测到的焦耳热耗散的电阻率变化
机译:通过非接触原子力显微镜对B / si(111)3〜(1/2)×3〜(1/2)表面进行原子级成像
机译:非接触原子力显微镜同时测量表面形貌和阻尼能
机译:通过原子氧等离子体生长的二氧化硅/硅(111)-(7 x 7)的原子力显微镜研究
机译:Ag(111)上生长的硅层的原子结构:扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜观察。
机译:通过基于石英音叉的力传感器通过非接触原子力显微镜对Si(111)-(7×7)的原子分辨率
机译:用耦合取向显微镜和原子力显微镜观察镍基合金的局部腐蚀。