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机译:球形延伸缺陷和沉淀基复合材料中正电子俘获和an没的扩散反应模型
Institute of Materials Physics, Graz University of Technology, Petersgasse 16, A-8010 Graz, Austria;
Institute of Materials Physics, Graz University of Technology, Petersgasse 16, A-8010 Graz, Austria;
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机译:球形延长缺陷和沉淀 - 基质复合材料时正电子捕获和湮灭的扩散反应模型
机译:正电子an没研究大体积缺陷时的氢俘获:纳米晶和外延Nb薄膜的比较
机译:正电子ni没技术研究AlSi11.35Mg0.23的俘获率和缺陷密度
机译:通过扩散 - 反应理论建模的基质和圆柱形或球面沉淀物之间的界面处的正电子捕获和湮灭
机译:利用正电子an没诱导的螺旋电子能谱研究正电子在铁表面的量子点状铜颗粒上的俘获。
机译:用An灭正电子测试丙烯酸型牙科纳米复合材料的自由体积结构
机译:通过扩散 - 反应理论建模的基质和圆柱形或球形沉淀物之间的界面处的正电子捕获和湮灭
机译:金属和合金空位型缺陷中正电子的湮灭动量密度