...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physical review >Generic Hubbard model description of semiconductor quantum-dot spin qubits
【24h】

Generic Hubbard model description of semiconductor quantum-dot spin qubits

机译：半导体量子点自旋量子位的通用Hubbard模型描述

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We introduce a Hubbard model as the simple quantum generalization of the classical capacitance circuit model to study semiconductor quantum-dot spin qubits. We prove theoretically that our model is equivalent to the usual capacitance circuit model in the absence of quantum fluctuations. However, our model naturally includes quantum effects such as hopping and spin exchange. The parameters of the generalized Hubbard model can either be directly read off from the experimental plot of the stability diagram or be calculated from the microscopic theory, establishing a quantitative connection between the two. We show that, while the main topology of the charge stability diagram is determined by the ratio between intersite and on-site Coulomb repulsion, fine details of the stability diagram reveal information about quantum effects. Extracting quantum information from experiments using our Hubbard model approach is simple, but would require the measurement resolution to increase by an order of magnitude.
机译：我们引入哈伯德模型作为经典电容电路模型的简单量子概括，以研究半导体量子点自旋量子位。我们从理论上证明，在没有量子涨落的情况下，我们的模型与常规电容电路模型等效。但是，我们的模型自然包括量子效应，例如跳跃和自旋交换。广义Hubbard模型的参数可以直接从稳定性图的实验图中读取，也可以从微观理论计算得出，从而在两者之间建立定量联系。我们表明，虽然电荷稳定性图的主要拓扑结构由站点间和现场库仑排斥之间的比率决定，但稳定性图的精细细节揭示了有关量子效应的信息。使用我们的Hubbard模型方法从实验中提取量子信息很简单，但是需要将测量分辨率提高一个数量级。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号