...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physical review >Giant spin-orbit-induced spin splitting in two-dimensional transition-metal dichalcogenide semiconductors
【24h】

Giant spin-orbit-induced spin splitting in two-dimensional transition-metal dichalcogenide semiconductors

机译：二维过渡金属二卤化半导体中巨自旋轨道诱导的自旋分裂

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Fully relativistic first-principles calculations based on density functional theory are performed to study the spin-orbit-induced spin splitting in monolayer systems of the transition-metal dichalcogenides MoS_2, MoSe_2, WS2, and Wse_2. All these systems are identified as direct-band-gap semiconductors. Giant spin splittings of 148-456 meV result from missing inversion symmetry. Full out-of-plane spin polarization is due to the two-dimensional nature of the electron motion and the potential gradient asymmetry. By suppression of the Dyakonov-Perel spin relaxation, spin lifetimes are expected to be very long. Because of the giant spin splittings, the studied materials have great potential in spintronics applications.
机译：进行了基于密度泛函理论的完全相对论的第一性原理计算，以研究自旋轨道诱导的自旋分裂在过渡金属二卤化物MoS_2，MoSe_2，WS2和Wse_2的单层系统中的作用。所有这些系统都被确定为直接带隙半导体。 148-456 meV的巨大自旋分裂是由于缺少反演对称性造成的。平面外完全自旋极化是由于电子运动的二维性质和电势梯度不对称所致。通过抑制Dyakonov-Perel自旋弛豫，预计自旋寿命非常长。由于巨大的自旋裂隙，所研究的材料在自旋电子学应用中具有巨大的潜力。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号