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Charged excitons and biexcitons in laterally coupled (In,Ga)As quantum dots

机译：横向耦合的（In，Ga）As量子点中的带电激子和双激子

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We present results of atomistic empirical pseudopotential calculations and configuration interaction for excitons, positive and negative trions (X~±), positive and negative quartons (X~(2±)), and biexcitons. The structures investigated are laterally aligned InGaAs quantum dot molecules embedded in GaAs under a lateral electric field. The rather simple energetic of excitons becomes more complex in the case of charged quasiparticles but remains tractable. The negative trion spectrum shows four anticrossings in the presently available range of fields while the positive trion shows two. The magnitude of the anticrossings reveals many-body effects in the carrier tunneling process that should be experimentally accessible.
机译：我们提出了激子，正负三向子（X〜±），正负负子（X〜（2±））和双激子的原子经验伪势计算和构型相互作用的结果。研究的结构是在横向电场下嵌入GaAs中的横向排列的InGaAs量子点分子。在带电的准粒子的情况下，激子的相当简单的能量变得更加复杂，但仍然易于控制。负tri离子光谱在当前可用的范围内显示四个反交叉，而正tri离子显示两个。抗交叉的程度揭示了在载流子隧穿过程中的多体效应，应该通过实验来达到。

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