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机译:ThCr_2Si_2结构的重掺杂硫族铁TlFe_2Se_2的密度泛函研究
Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, Tennessee 37831-6114, USA;
electronic structure; intermetallic compounds; nonconventional mechanisms (spin fluctuations, polarons and bipolarons, resonating valence bond model, anyon mechanism, marginal fermi liquid, luttinger liquid, etc.); band and itinerant models;
机译:砷化镍B8结构中硫属铍化物的光学性质的密度泛函研究
机译:超掺杂铜酸盐超导体的能带结构:密度泛函理论匹配实验
机译:过掺杂铜酸铜超导体的带结构:密度函数理论匹配实验
机译:DFT计算中纳米结构官能化石墨烯的电子密度研究
机译:铁硫团簇密度泛函方法的发展:在固氮酶的铁钼辅因子的难以捉摸的结构中的应用
机译:硫铁化物超导体的Tc和晶体结构的高压研究
机译:过量掺杂铁硫族化合物的密度泛函研究: TlFe $ _ {2} $ se $ _ {2} $与ThCr $ _ {2} $ si $ _ {2} $结构