Local density of states in mesoscopic samples from scanning gate microscopy

M. G. Pala; B. Hackens; F. Martins; H. Sellier; V. Bayot; S. Huant; T. Ouisse

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Local density of states in mesoscopic samples from scanning gate microscopy

机译：来自扫描门显微镜的介观样品中状态的局部密度

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We study the relationship between the local density of states (LDOS) and the conductance variation AG in scanning-gate-microscopy experiments on mesoscopic structures as a charged tip scans above the sample surface. We present an analytical model showing

机译：我们在带电尖端扫描样品表面上方的介观结构的扫描门显微镜实验中研究了局部状态密度（LDOS）与电导率变化AG之间的关系。我们提出一个分析模型，显示

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来源
《Physical review》 |2008年第12期|588-595|共8页
作者
M. G. Pala; B. Hackens; F. Martins; H. Sellier; V. Bayot; S. Huant; T. Ouisse;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
quantum dots; ballistic transport; decoherence; open systems; quantum statistical methods; quantum interference devices;

机译：量子点;弹道运输;退相干开放系统;量子统计方法;量子干涉仪;

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