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【24h】

Observation Of Quantized Subband States And Evidence For Surface Electron Accumulation In Cdo From Angle-resolved Photoemission Spectroscopy

机译：角度分辨光发射光谱法观察CDO中量化子带状态和表面电子积累的证据

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The electronic structure of well-ordered single-crystal thin films of CdO(100) has been studied using angle-resolved photoemission spectroscopy. Quantized electron subbands are observed above the valence-band maximum. The existence of these states provides evidence of an intrinsic electron accumulation space-charge layer near the CdO surface, an interpretation supported by coupled Poisson-Schroedinger calculations. The origin of the accumulation layer result is discussed in terms of the bulk band structure of CdO calculated using quasiparticle-corrected density-functional theory, which reveals that the conduction-band minimum at the Brillouin-zone center lies below the charge neutrality level.
机译：CdO（100）的有序单晶薄膜的电子结构已使用角度分辨光发射光谱法进行了研究。在价带最大值以上观察到量化的电子子带。这些状态的存在提供了靠近CdO表面的固有电子积累空间电荷层的证据，这一解释得到了泊松－施罗丁格耦合计算的支持。根据使用准粒子校正的密度泛函理论计算的CdO的体带结构，讨论了积累层结果的起源，这揭示了布里渊区中心的导带最小值位于电荷中性水平以下。

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