...
机译:限制在In_(0.75)Ga_(0.25)As / In_(0.75)Al_(0.25)As量子阱中的高g因子低密度二维电子系统中的磁传输
NEST-INFM and Scuola Normale Superiore, Piazza dei Cavalieri 7, I-56126 Pisa, Italy;
magnetoresistance; quantum wells; III-V and II-VI semiconductors;
机译:非掺杂In_(0.75)Ga_(0.25)As / In_(0.75)Al_(0.25)As量子阱中的二维电子气形成
机译:少数电子横向In_(0.75)Ga_(0.25)As / In_(0.75)Al_(0.25)As量子点中的单重态-三重态跃迁
机译:In_(0.75)Ga_(0.25)As / In_(0.75)Al_(0.25)As量子线场效应晶体管中的自旋分裂输运
机译:通过LP-MOCVD生长的δ掺杂Al_(0.25)Ga_(0.75)As / In_(0.25)Ga_(0.75)As / GaAs拟晶异质结构的量子霍尔效应器件
机译:锂离子交换的NaMO2(M = Ni 0.25Mn0.75)中的缺陷结构。
机译:In0.75Ga0.25As双层电子系统中的分数量子霍尔效应观察为指纹
机译:两种声子模三元合金中的电子 - 声子耦合 $ al_ {0.25} In_ {0.75} as / Ga_ {0.25} In_ {0.75} as量子井