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Comment on 'Electron states for gapped pseudospin-1 fermions in the field of a charged impurity'

机译:对电荷杂质领域的堵塞PseudospIn-1码头的电子国家评论

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摘要

In a recent paper [Phys. Rev. B 99, 155124 (2019)], the spectrum of a regularized Coulomb charge was studied in gapped pseudospin-1 systems generated by an α - T_3 lattice. The electronic spectrum was studied as a function of the impurity strength Zα. However, the results and conclusions on the behavior of the flatband states as a function of the impurity strength are incomplete. In this Comment, I argue that because of the dispersionless nature of the flatband, the states spread out under the influence of a charged impurity forming a continuous band of states. I support my arguments with explicit numerical calculations which show the emergence of a continuum of states.
机译:在最近的一篇论文中[物理。 Rev. B 99,155124(2019)],在由α - T_3格子产生的盖孔伪旋转素-1系统中研究了正则化库仑电荷的光谱。作为杂质强度Zα的函数进行了电子谱。然而,对杂质强度的函数作为平带状态的行为的结果和结论是不完整的。在此评论中,我认为,由于平带的不同性质,所以州的电荷杂质的影响展开形成连续状态。我支持我的论点,具有明确的数值计算,这些计算显示了州连续性的出现。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2020年第19期|197102.1-197102.3|共3页
  • 作者

    R. Van Pottelberge;

  • 作者单位

    Departement Fysica Universiteit Antwerpen Groenenborgerlaan 171 B-2020 Antwerpen Belgium;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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