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机译:HFO_2中的相位竞争与第一个原则的应用电场
Department of Physics & Astronomy Rutgers University Piscataway New Jersey 08854 USA;
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机译:通过热法核和相转变通过成核和相变的Si掺杂HFO_2铁电相形成的第一原理研究
机译:有利于HFO_2中的内在和野外诱导铁电性的AI-,Y和LA掺杂效应:第一个原则研究
机译:自诱导的铁电2-nm厚的GE掺杂的HFO_2薄膜施加到GE纳米线铁电栅极 - 全面场效应晶体管
机译:在HFO_2中识别铁电切换途径:电场下的第一个原理计算
机译:基于贝里相位法的铁电体有限电场和霍尔电导率反常的第一性原理计算。
机译:外部施加电场下铁电材料的快速二维数据收集系统
机译:施加电场对在手性氮氧化物自由基化合物的铁电液晶相中观察到的正LC效应的影响
机译:胆固醇液晶固定相对电场气相色谱峰的影响