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半導体プラナリゼーションCMP技術の展望*

机译:半导体平面化CMP技术展望*

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摘要

CMP (Chemical Mechanical Polishing/Plananzation) は研磨技術から発展し,化学反応を援用して対象基板の表 層を改質するとともに,機械的研磨と組み合わせることで 超精密平坦化を実現する技術であり,1990年ごろに半導 体の平坦化加工に採用され始めて以来,半導体デバイス製 造において,必要不可欠なプロセスとして定着している. 一方でCMP技術は.半導体ウェハや各種基板の加工技術 として活用され続けているにもかかわらず,加工に及ぼす 要因や要素が多く,それらが複雑に絡み合つているため, 経験に基づいたノウハウによって成立している側面が強 い.今後のデバイス•プロセスにおいてより高度な精密平 坦化加工を行うには.サイエンス化を図り,その加工メカ ニズムを解明し.経験則を裏付け,新たな発想と組み合わ せて,困難な課題を克服していく必要がある.
机译:CMP(化学机械抛光/平坦化)是一种从抛光技术发展而来的技术,它使用化学反应来修饰目标衬底的表面层,并与机械抛光相结合,实现了超精密的平面化。自从1990年左右开始用于半导体的平面化以来,它已被确立为半导体器件制造中必不可少的工艺。另一方面,CMP技术被用作半导体晶片和各种基板的加工技术。尽管有继续存在,但是有许多因素和因素影响加工,并且它们彼此错综复杂地交织在一起,因此,它是通过基于经验的专有技术来实现的。为了进行精确的精密压扁,有必要通过科学,澄清加工机理,支持经验规则并结合新思想来克服难题。

著录项

  • 来源
    《精密工学会誌》 |2018年第3期|213-216|共4页
  • 作者

    黒河 周平;

  • 作者单位

    九州大学大学院工学研究院(福岡市西区元岡744);

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
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