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露光装置の収差データ活用技術の研究: 線幅変動低減のための収差解析

机译：曝光设备像差数据利用技术研究：减少线宽波动的像差分析

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摘要

We have developed techniques for analyzing the imaging performances of KrF exposure tools that use wave aberrations measured at 25 different image heights in a semiconductor fabrication plant. The wave aberrations are obtained by double printing lattice and square patterns and measuring their lateral registration errors. It is confirmed that multiple regression of the 3rd and 5th coma aberration coefficients permits the differences in the widths at the left and right edges of seven pairs of 250nm line and spatial patterns to be predicted to an accuracy of 9.4 nm (2σ). The results of an exposure and development simulation using wave aberrations agree with experimental results for the changes in the width of a 200 nm isolated line pattern with the focus position. This simulation is applied to quantify focus margins, which are found to be degraded due to astigmatism and spherical aberrations. Controlling the excimer laser wavelength is proposed as a means to reduce the spherical aberrations.%半導体製造ラインでは，一般的に5～10台の露光装置が使rn用されている．露光装置はウェハを1ショットずつ移動させなrnがら露光するため，ウェハー括処理が可能な他の製造装置に比rnべると多数の台数が必要となる．一方，台数が多くなると各装rn置の転写性能の把握と，それに基づいた効率的な運用が必須とrnなる．
机译：我们已经开发了用于分析KrF曝光工具的成像性能的技术，这些技术使用在半导体制造厂中在25个不同图像高度处测量的波像差。波像差是通过双重印刷格子和正方形图案并测量其横向配准误差而获得的。可以确认，通过对第三和第五彗形像差系数进行多次回归，可以预测到七对250nm线和空间图案的左右边缘处的宽度差，其精度为9.4 nm（2σ）。使用波像差的曝光和显影模拟的结果与实验结果一致，即随着焦点位置变化的200 nm隔离线图案的宽度发生了变化。该模拟用于量化聚焦裕度，聚焦裕度被发现由于散光和球差而降低。提出了控制准分子激光波长的方法，以减少球面像差。％半导体制造ラインでは，一般的に5〜10台の露光装置が使rn用るいる。 ，rnがら露光するため，ウェハー括处理が可能な他の制造装置に比rnべると多数の台数が必要となる。一方，台数が多くなると各装rn置の転写性能の把握と，それに基づい效率的な运用が必须とrnなる。

著录项

  • 来源
    《精密工学会誌》 |2010年第1期|69-73|共5页
  • 作者

    吉武康裕; 松本俊一; 山本康治; 古居英樹;

  • 作者单位

    （株）日立製作所　生産技術研究所（神奈川県横浜市戸塚区吉田町292）;

    （株）日立製作所　生産技術研究所（神奈川県横浜市戸塚区吉田町292）;

    （株）ルネサステクノロジ　生産本部　那珂第一工場（茨城県ひたちなか市堀口751）;

    （株）ルネサステクノロジ　マイコン統括本部　セキエアMCU事業部（東京都小平市上水本町5-20-1）;

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