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Improved Methods For Electroplating Cadmium Sulfide Thin Films

机译：电镀硫化镉薄膜的改进方法

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We report improved methods for electroplating cadmium sulfide (CdS) films. A previous problem was cracking/flaking of films deposited from organic solutions of elemental sulfur; attempts to improve adhesion via bath additives reduced grain size. Aqueous baths of thiosulfate ions yield cadmium-richness at low T temperatures (T), long deposition times, and/or poor bath stability. Developments in our work to be discussed include (1) plating of uniform, adherent, and stoichiometric CdS from tetraethylene baths of CdCl_2 and elemental sulfur at T ≥ 70℃ with minimal cracking/flaking, (2) improved uniformity/adherence by use of CdI_2, and (3) swept voltage methods in aqueous thiosulfate baths to plate stoichiometric (vs. Cd-rich) films near room temperature.
机译：我们报告了电镀硫化镉（CdS）薄膜的改进方法。先前的问题是从元素硫的有机溶液中沉积的薄膜开裂/剥落；试图通过减少浴液添加剂来提高附着力。硫代硫酸根离子的水浴在较低的T温度（T），较长的沉积时间和/或较差的浴稳定性下会产生富镉的物质。我们要讨论的工作包括：（1）在T≥70℃的四氯化碳CdCl_2和元素硫的四乙烯浴中镀覆均匀，粘附和化学计量的CdS，同时最大程度地减少开裂/剥落；（2）使用CdI_2提高均匀性/粘附性（3）在含水硫代硫酸盐浴中采用扫频法在室温附近电镀化学计量（相对于富Cd）薄膜。

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