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ローム4端子パッケージ採用耐圧650/1200V SiCMOSFET

机译:Roam 4端子包采用耐压650 / 1200V Sicmosfet

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摘要

ロームは4端子パッケージを採用したSiC MOSFET6機種(650V耐圧、1200V耐圧3機種ずつ)を開発し、8月から順次、量産を開始する。
机译:RoHM开发了SIC MOSFET 6型号(650 V耐压,3个耐压电压,3个耐压电压),具有4个端子封装,并从8月顺序开始大规模生产。

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    《电波新闻》 |2019年第17733期|4-4|共1页
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