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【24h】

3次元量子ドット構造の形成実現によるInGaAsナノ円盤構造を世界で初観測

机译：通过实现三维量子点结构形成indaas纳米盘结构的首次观察

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東京大学大規模集積システム設計教育研究センター（VDEC)の肥後昭男特任講師、北見工業大学の木場隆助教、北海道大学大学院情報科学研究院の村山明宏教授、東北大学材料科学高等研究所（IMR)および流体科学研究所(LPS)の寒川誠二教授、東京大学先端科学技術研究センターの杉山正和教授、東京大学大学院工学系研究科の中野義昭教授らは、バイオテンプレート技術と融合して低欠陥のナノサイズの低濃度のィンジゥムガリウム砒素/ガリウム砒素(InGaAs/GaAs)円盤構造(量子ドット）を有する柱状構造(ナノピラー構造)の作製に成功した。さらに、有機金属気栢成長法を用いて、ナノサイズのInGaAs/GaAs円盤構造を有するナノピラーをガリゥム砒素での埋め込み再成長に成功し、ドライェッチングで作製した世界最小のInGaAsナノ円盤構造の作製に成功した。フォトルミネッセンスの温度依存性測定により、ドライエツチングで作製したInGaAsナノ円盤構造からの波長幅の広い発光を実現した。
机译：Akio Akira Shibetsu，Kitami理工学院，东京大学大学（VDEC），Kitami理工学院，北海道大学信息科学研究所研究所，北海道大学研究所（IMR）和Sugayama教授，技术研究中心，技术研究中心（LPS），东京大学技术研究中心，东京大学东京大学，东京大学科技，科技大学，东京大学技术研究中心。成功地生产了柱状结构（纳米玻璃结构低浓度低浓度的砷镓砷/砷化镓（InGaAs / GaAs）盘结构（量子点）。此外，使用有机金属微生长方法，具有纳米型IngaAs / GaAs盘结构的纳米块成功地用Gullum砷的嵌入式再生生长，并制备了通过干燥的干燥性制备的世界上最小的IngaAs纳米盘结构。通过测量光致发光的温度依赖性，实现了通过干蚀刻制备的InGaAs纳米盘结构的波长宽度的宽发光。

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    《电波新闻》 |2019年第17748期|16-16|共1页
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