利用纳米级氮化硼和金量子点实现量子隧穿效应 美首次制造出不使用半导体的晶体管

机译：使用多晶电容器和金属氧化物半导体场效应晶体管的带中间电极的铁电栅场效应晶体管存储器的操作

机译：基于单层WSE2二维晶体半导体的通道，纳米级场效应晶体管中量子电容对纳米级场效应晶体管的电荷载流子密度估计的影响

机译：碰撞电离金属氧化物半导体器件与隧穿场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的集成工艺

机译：使用TA {Sub} 20×5栅极氧化物 - 氧化物半导体场效应晶体管的制造和表征金属氧化物 - 半导体场效应晶体管和门控二极管

机译：碳化硅结场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的特性。

机译：使用热致发光（TLD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）剂量计对颌面区域进行有效剂量评估：一项比较研究

机译：alGaN / GaN异质结中的低频噪声场效应晶体管和金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管

机译：石墨烯场效应晶体管（GFET）对六方氮化硼（hBN）的辐射效应。

机译：BN形成氮化硼层的连续方法使用该氮化硼层制备场效应晶体管的方法以及由其制备的场效应晶体管

机译：制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管

机译：制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管