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【24h】

東京工大窒化アルミニウムスカンジウム強誘電体薄膜化に成功低消費電力不揮発性メモリー実現に期待

机译：成功的低功耗非易失性存储器实现成功的低功耗非易失性存储器

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東京て業大学は、強誘電体の中で最も高い強誘電性を持つことが報告されている窒化アルミニウムスカンジゥム[(A1、Sc)N]について、スカンジウム(Sc)を低濃度にすることで、従来よりも高い強誘電性を発現する膜の作製に成功。さらに、10ナノメートル以下の(A1、Sc)N薄膜でも強誘電性があることを世界で初めて確認した。
机译：东京东京大学以低兼任氮化铝Scanmum [（A1，SC）N]，据报道，铁电中具有最高的铁电性。成功制造了表达的铁电性高于以前的薄膜。此外，世界上首次在世界中确认，有10纳米或更少（A1，SC）N薄膜或铁电性。

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    《电波新闻》 |2020年第18005期|9-9|共1页
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