公开/公告号CN112104226B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市芯天下技术有限公司;
申请/专利号CN202011298169.1
申请日2020-11-18
分类号H02M3/07(20060101);G11C16/30(20060101);
代理机构44377 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈志超;唐敏珊
地址 518000 广东省深圳市龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇第10栋1楼
入库时间 2022-08-23 11:32:55
机译: 使用具有低阈值电压的MOS晶体管来降低功耗的预驱动器能力,以及使用相同驱动器的输出驱动器电路
机译: 具有低功耗工作能力的传感放大电路和非易失性存储器
机译: 具有低功耗和宽工作电压范围的非易失性存储电路。