東京ブレイズ半導体デバイス接合で新技術銀ろう化で高温度耐性1年後の商用化目標

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東京ブレイズ半導体デバイス接合で新技術銀ろう化で高温度耐性1年後の商用化目標

机译：新技术银色埋在东京火焰半导体器件交界处后1年的商业化目标

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東京ブレイズ(東京都世田谷区)は、高温で使用可能な接合部材を用いた半導体デバイスのダイボンディング技術の実用化に向け取り組hでいる。低温でスズゃ銀を反応させて「銀ろう化」を促すとともに、熱の緩和層を形成して耐熱性能の高い接合部を作る技術で、半導体熱研究所(京都市中京区)が特許を取得した。技術提携により、1年後の商用化を目指す。

机译：东京火焰（东京Setagaya Ward）是一种挑战H，用于使用可以在高温下使用的连接成员进行半导体器件的实际使用。除了在低温下促进“银和银”并促进“银利用”而促进具有耐热性的宽度层，半导体热学研究所（京都市）获得专利。我获得了。技术合作伙伴关系旨在一年后商业化。

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《电波新闻》 |2021年第18195期|8-8|共1页
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