パワー半導体用SiCエピウエハー昭和電工が生産増強高品質グレード

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パワー半導体用SiCエピウエハー昭和電工が生産増強高品質グレード

机译：用于功率半导体的SiC Epi晶圆昭和电工提高产量高品质等级

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昭和電工はパワー半導体の材料である炭化ゲイ素(SiC)エピタキシャルウエハー(以下、エピウエハー)の高品質グレードエピウェハー「ハィグレードエピ」(以下、HGE)の生産能力を増強する。18年4月から稼働開始し、月産能力は1200V耐圧用デバイス仕様での換算で、現在の3千枚から5千枚に拡大する。

机译：昭和电工将提高作为功率半导体碳化硅（SiC）外延晶片（以下称为外延晶片）的材料的高品质外延晶片（“ HGE”）的生产能力。该设备将于2018年4月开始运营，在1200V耐压的设备规格方面，月产能将从目前的3,000个扩大至5,000个。

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《电波新闻》 |2017年第17262期|3-3|共1页
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