東芝がゲート絶縁膜プ口セス技術GaNーMOSFET信頼性を向上

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東芝がゲート絶縁膜プ口セス技術GaNーMOSFET信頼性を向上

机译：东芝提高了栅极绝缘膜的GaN-MOSFET可靠性

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東芝研究開発センターは次世代の半導体パヮーデバイスとして期待されるG a Nパヮーデバイス向けに、信頼性向上につながるゲート絶縁膜プロセス技術を開発した。閾値電圧変動などの特性変動が大幅に低減できる。同技術を適用したGaNーMOSFETにより、GaNパヮーデバイスの信頼性が向上し、さらなる普及が期待できる。同技術の詳細は、サンフランシスコで開催の国際学会IEDMで6日に発表した。

机译：东芝研发中心开发了一种栅绝缘膜工艺技术，该技术可提高GaN功率器件的可靠性，而GaN功率器件有望成为下一代半导体功率器件。诸如阈值电压波动之类的特征波动可以显着减小。使用该技术的GaN-MOSFET将提高GaN功率器件的可靠性，并且有望进一步推广。该技术的详细信息已于6月6日在旧金山的IEDM IEDM上宣布。

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《电波新闻》 |2017年第17308期|3-3|共1页
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