新しい高誘電率ゲート絶縁膜/メタルゲート技術と信頼性

塩野　晋

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新しい高誘電率ゲート絶縁膜/メタルゲート技術と信頼性

机译：新型高k栅极电介质/金属栅极技术和可靠性

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高誘電率膜材料は、SiO_2膜と等価な容量を得るのに、厚い膜で良いので、リーク電流を抑えられるので、現状のSiO_2やSiONゲート絶縁膜に代わる材料として期待されている。

机译：高介电常数膜材料有望成为现有的SiO_2或SiON栅极绝缘膜的替代材料，因为它可以抑制泄漏电流，因为它可以是厚膜以获得与SiO_2膜相同的电容。

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来源
《RCJ会报》 |2007年第3期|p.13-24|共12页
作者
塩野　晋;
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作者单位

日本電子部品信頼性センター;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

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