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赵军;
金属栅极; 纳米; 芯片生产工艺; 技术变革; 半导体业; 英特尔; 处理器;
机译:用于45 nm及更高节点的高k和金属栅极材料的实现:栅极图案开发
机译:研究证明适用于hp 45nm的双路高k /金属栅极CMOSFET
机译:绝缘体上硅基衬底上集成高k阻挡电介质和高功函数栅电极的纳米级多栅极TiN金属纳米晶体存储器
机译:45纳米低功耗片上系统(SoC)双栅极氧化物高k /金属栅极(DG HK + MG)技术的可靠性研究
机译:具有高k栅极氧化物和金属栅极的MOS器件中的辐射响应。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:界面电荷在基于高k的多晶硅和金属栅极纳米级MOSFET上的作用
机译:侧翼上45度后掠垂直尾翼上的压力分布的高亚音速速度研究,机身中心线上有或没有45度后掠水平尾翼
机译:在高k金属栅极平台技术中使用后栅极工艺形成晶体管栅极的多晶硅纳米晶体薄膜存储位元的方法
机译:使用后栅极工艺形成晶体管栅极的高K金属栅极平台技术中形成多晶硅纳米晶体薄膜存储位元的方法
机译:在高k介电薄膜上气相沉积金属栅极的方法,改善高k介电薄膜与金属栅极之间的界面的方法以及基体处理系统
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