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【24h】

25VのNチャンネルパワーMOSFETビシエイが発表最小のオン抵抗

机译:25V N沟道功率MOSFET Visie宣布了最低导通电阻

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摘要

米ビシエイ·インターテクノロジー社(日本法人=ビシエイジャパン、東京都渋谷区)は10Vで0.58m□の業界最小オン抵抗を特徴とするのNチャンネルTrenpnFETパワ1MOSFETを発表した。
机译:美国-Bishei Intertechnology,Inc.(日本公司=东京涩谷区Bizei Japan)宣布了一种N沟道Trepn pFET功率1 MOSFET,其在10V时的导通电阻最小为0.58 m□。

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    《电波新闻》 |2017年第17313期|3-3|共1页
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