...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Semiconductor science and technology >Investigation of heavy-ion strikes on a fin field-effect transistor-based low-noise amplifier
【24h】

Investigation of heavy-ion strikes on a fin field-effect transistor-based low-noise amplifier

机译：基于翅片场效应晶体管的低噪声放大器的重离子撞击研究

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The consequences of heavy-ion strikes on a fin field-effect transistor-based low-noise amplifier (LNA) are analyzed in this paper. A popular LNA topology, cascoded LNA, is selected to study the single-event effect using numerical device simulation. A heavy-ion strike resulting in a current pulse (known as a single-event transient) disturbs the LNA output. These disturbances are analyzed in the time and frequency domains. The collected charge (Q(C)) is used as a metric in the time domain, and the spurious frequencies generated are investigated in the frequency domain. This study is performed using four different LNA operating frequencies, 10 GHz, 30 GHz, 60 GHz, and 77 GHz. It is found that for a given dose of radiation, the performance of the LNA operating at the lowest frequency, i.e. 10 GHz, suffers the most from the radiation strike.
机译：本文分析了重离子撞击对翅片场效应晶体管的低噪声放大器（LNA）的后果。选择流行的LNA拓扑，级联LNA，选择使用数控仿真研究单事件效果。一种重离子串，导致电流脉冲（称为单​​事件瞬态）扰乱LNA输出。在时间和频率域中分析这些干扰。收集的电荷（Q（c））用作时域的度量，并且在频域中研究生成的寄生频率。使用四个不同的LNA工作频率，10 GHz，30 GHz，60 GHz和77 GHz进行该研究。发现，对于给定剂量的辐射，在最低频率下操作的LNA的性能，即10GHz，从辐射击中遭受最大的影响。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号