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A new record in transistor speed has been reached with an ultra-fast device that will expand frequency and bandwidth capabilities for future communications, radar and intelligence applications. The indium phosphide-based high electron mobility transistor features a maximum frequency of operation of more than 1,000 gigahertz, or more than 1 terahertz. Tests conducted by NASA's Jet Propulsion Laboratory validated the ultra-fast transistor by measuring a three-stage millimeter wave integrated circuit amplifier at 340 gigahertz with greater than 15 decibel gain.
机译：超快器件已达到晶体管速度的新记录，它将为未来的通信，雷达和情报应用扩展频率和带宽功能。基于磷化铟的高电子迁移率晶体管的最大工作频率超过1,000兆赫兹，或超过1太赫兹。 NASA喷气推进实验室进行的测试通过测量三级毫米波集成电路放大器在340 GHz时的增益超过15分贝来验证了超快晶体管。

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  • 来源
    《Signal》 |2008年第6期|p.10-11|共2页
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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 通信;
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