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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A 16-channel CMOS neural stimulating array
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A 16-channel CMOS neural stimulating array

机译：16通道CMOS神经刺激阵列

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A probe designed for the highly selective long-term stimulation of neuronal assemblies in the central nervous system is described. The micromachined multishank probe incorporates CMOS circuitry to control the output current on 16 iridium oxide (IrO) electrode sites. Serial site addresses and current amplitude data are loaded into the probe at 4 MHz and converted to analog stimulus currents. The probe circuitry dissipates only 80 mu W from +or-5-V supplies when not delivering stimulus currents and uses five external leads. It permits the IrO sites to be activated by voltammetry from off-chip, provides per-channel pulse time-outs to prevent accidental overstimulation of the tissue, and signals the external world, using a status bit, in the event of certain trouble conditions. The stimulating site impedances and the stimulus currents can be measured from off chip on demand. The circuitry is implemented in a single-metal, single-poly, CMOS process with 3- mu m minimum features using 7100 transistors in an area of 11 mm/sup 2/.
机译：描述了设计用于高度选择性长期刺激中枢神经系统中神经元组装的探针。微机械加工的多柄探头集成了CMOS电路，可控制16个氧化铱（IrO）电极位点上的输出电流。串行站点地址和电流幅度数据以4 MHz的频率加载到探头中，并转换为模拟激励电流。当不提供激励电流时，探头电路仅从+或5-V电源消耗80μW的功率，并使用5条外部引线。它允许通过伏安法从芯片外激活IrO位置，提供每通道脉冲超时功能，以防止意外的组织过度刺激，并在某些故障情况下使用状态位向外部世界发出信号。可以根据需要从片外测量刺激部位的阻抗和刺激电流。该电路采用面积为11 mm / sup 2 /的7100晶体管，以单金属，单晶CMOS工艺实现，最小特性为3μm。

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