A 16-ns 1-Mb CMOS EPROM

Kuriyama M.; Atsumi S.

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A 16-ns 1-Mb CMOS EPROM

机译：16ns 1Mb CMOS EPROM

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A 16-ns 1-Mb CMOS EPROM has been developed utilizing high-speed circuit technology and a double-metal process. In order to achieve the fast access time, a differential sensing scheme with address transition detection (ATD) is used. A double-word-line structure is used to reduce word-line delay. High noise immunity is obtained by a bit-line bias circuit and data-latch circuit. Sufficient threshold voltage shift (indispensable for fast access time) is guaranteed by a threshold monitoring program (TMP) scheme. The array is organized as 64 K*16 b, which is suitable for 32-b high-performance microprocessors. The active power is 425 mW, the programming time is 100 mu s, and the chip size is 4.94*15.64 mm/sup 2/.

机译：利用高速电路技术和双金属工艺开发了16 ns 1-Mb CMOS EPROM。为了实现快速访问时间，使用了具有地址转换检测（ATD）的差分检测方案。双字线结构用于减少字线延迟。通过位线偏置电路和数据锁存电路可获得较高的抗噪能力。阈值监视程序（TMP）方案可确保足够的阈值电压偏移（对于快速访问时间必不可少）。该阵列组织为64 K * 16 b，适用于32 b高性能微处理器。有功功率为425 mW，编程时间为100μs，芯片尺寸为4.94 * 15.64 mm / sup 2 /。

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来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1990年第5期|P.1141-1146|共6页
作者
Kuriyama M.; Atsumi S.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
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