Dummy transistor compensation of analog MOS switches

Eichenberger C.; Guggenbuhl W.

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Dummy transistor compensation of analog MOS switches

机译：模拟MOS开关的虚拟晶体管补偿

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Theoretical and experimental results of the clock-feedthrough phenomenon (charge injection) in sample-and-hold circuits using minimum features size transistors of a self-aligned 3 mu m CMOS technology are compared. The lumped RC model of the conductive channel is used and verified in different switch configurations with variable input voltages. Special emphasis is placed on the feasibility and limits of charge cancellation techniques using dummy switches.

机译：比较了采用自对准3微米CMOS技术的最小尺寸晶体管的采样保持电路中时钟馈通现象（电荷注入）的理论和实验结果。导电通道的集总RC模型在可变输入电压的不同开关配置中使用和验证。特别强调使用虚拟开关的电荷消除技术的可行性和局限性。

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来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1989年第4期|P.1143-1146|共4页
作者
Eichenberger C.; Guggenbuhl W.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
关键词

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