Post-Si Programmable ESD Protection Circuit Design: Mechanisms and Analysis

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2013年第5期|1237-1249|共13页
• 作者

  Wang X.; Shi Z.; Liu J.; Lin L.; Zhao H.; Wang L.; Ma R.; Zhang C.; Dong Z.; Fan S.; Tang H.; Wang A.; Cheng Y.; Zhao B.; Zhang Z.; Chi B.; Ren T.-L.;

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• 作者单位

  Dept. of Electrical Engineering, University of California, Riverside, CA, USA|c|;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Electrostatic discharge (ESD); field-program mable ESD protection; nano crystal quantum dots; silicon– oxide–nitride–oxide–silicon (SONOS);

  机译：静电放电（ESD）;现场可编程的ESD保护;纳米晶体量子点;氧化硅-氮化物-氧化硅（SONOS）;