Active Millimeter-Wave Phase-Shift Doherty Power Amplifier in 45-nm SOI CMOS

Agah A.; Dabag H.-T.; Hanafi B.; Asbeck P.M.

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Active Millimeter-Wave Phase-Shift Doherty Power Amplifier in 45-nm SOI CMOS

机译：45nm SOI CMOS有源毫米波相移Doherty功率放大器

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A 45 GHz active phase-shift Doherty PA is proposed and implemented in 45-nm SOI CMOS. The quarter wave-length transmission line at the input of the auxiliary amplifier is replaced by an amplifier, increasing the gain and PAE by more than 1 dB and 5%, while reducing the die area. Use of slow-wave coplanar waveguides (S-CPW) improves the PAE and gain by approximately 3% and 1 dB, and further reduces the die area. Two-stack FET amplifiers are used as the main and auxiliary amplifiers, allowing a supply voltage of 2.5 V and increasing the output power. The active phase-shift Doherty amplifier demonstrates a peak power gain and PAE of 8 dB and 20% at 45 GHz. It occupies 0.45 mm$^{2}$, and at 6-dB back-off power, the PAE is 21%.

机译：提出并在45 nm SOI CMOS中实现了45 GHz有源相移Doherty PA。辅助放大器输入端的四分之一波长传输线被一个放大器取代，从而使增益和PAE增加了1 dB以上和5％，同时减小了芯片面积。慢波共面波导（S-CPW）的使用可将PAE和增益提高约3％和1 dB，并进一步减小管芯面积。两层FET放大器用作主放大器和辅助放大器，允许2.5 V的电源电压并增加输出功率。有源相移Doherty放大器在45 GHz频率下的峰值功率增益和PAE分别为8 dB和20％。它占0.45毫米<公式>，公式为6dB，在6dB的补偿功率下，PAE为21％。。

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来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2013年第10期|2338-2350|共13页
作者
Agah A.; Dabag H.-T.; Hanafi B.; Asbeck P.M.;
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作者单位

Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, La Jolla, CA, USA|c|;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
CMOS; Class AB; device parasitic; impedance matching; load pull; millimeter-wave; power amplifier; power combining; power-added efficiency (PAE); reliability; transformer;

机译：CMOS;AB类;器件寄生;阻抗匹配;负载牵引;毫米波;功率放大器;功率合并;功率附加效率（PAE）;可靠性;变压器;

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