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外文会议
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IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium
IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium
召开年:
2016
召开地:
Austin(US)
出版时间:
-
会议文集:
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1.
MMIC Class-F Power Amplifiers using Field-Plated AlGaN/GaN HEMTs
机译:
MMIC Class-F功率放大器使用现场电镀AlGaN / GaN Hemts
作者:
Steven Gao
;
Hongtao Xu
;
Umesh K. Mishra
;
Robert A. York
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
MMIC power amplifiers;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
wide band gap semiconductors;
GaN;
GaN HEMT;
MMIC;
class F power amplifier;
high efficiency;
GaN HEMT;
MMIC;
Power amplifier;
class F;
high efficiency;
high power;
2.
An 80 GHz SiGe Quadrature Receiver Frontend
机译:
一个80 GHz SiGe正交接收器前端
作者:
Bernhard Dehlink
;
Hans-Dieter Wohlmuth
;
Klaus Aufinger
;
Franz Weiss
;
Arpad L. Scholtz
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
3.
MMIC Class-F Power Amplifiers using Field-Plated AlGaN/GaN HEMTs
机译:
MMIC Class-F功率放大器使用现场电镀AlGaN / GaN Hemts
作者:
Steven Gao
;
Hongtao Xu
;
Umesh K. Mishra
;
Robert A. York
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Power amplifier;
MMIC;
GaN HEMT;
High efficiency;
Class F;
High power;
4.
Demonstration of a Sub-Millimeter Wave Integrated Circuit (S-MMIC) using InP HEMT with a 35-nm Gate
机译:
使用35-NM门的INP HEMT示范亚毫米波集成电路(S-MMIC)
作者:
W. R. Deal
;
S. Din
;
V. Radisic
;
J. Padilla
;
X. B. Mei
;
W. Yoshida
;
P. H. Liu
;
J. Uyeda
;
M. Barsky
;
T. Gaier
;
A. Fung
;
L. Samoska
;
R. Lai
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Low Noise Amplifier;
HEMT;
MMIC;
S-MMIC;
Millimeter-Wave;
Sub-millimeter wave;
Coplanar Waveguide;
5.
Single-Chip 24-GHz Synthesizer for a Radar Application
机译:
用于雷达应用的单芯片24-GHz合成器
作者:
Rumen Kozhuharov
;
Anders Jirskog
;
Niklas Penndal
;
Herbert Zirath
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
MMIC;
gallium arsenide;
high electron mobility transistors;
phase locked loops;
radar applications;
transceivers;
voltage-controlled oscillators;
1.4 GHz;
24 GHz;
GaAs;
LO frequency;
MMIC synthesizer;
PLL circuit;
VCO;
buffer amplifier;
frequency modulation continuous;
6.
Low-Power Circuits for a 2.5-V, 10.7-to-86-Gb/s Serial Transmitter in 130-nm SiGe BiCMOS
机译:
在130-NM SiGE BICMOS中为2.5-V,10.7至86-GB / s串行变送器的低功耗电路
作者:
Timothy O. Dickson
;
Sorin P. Voinigescu
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
SiGe BiCMOS;
Low-power;
High-speed digital logic;
Multiplexer;
Inductive peaking;
VCO;
7.
120-GHz Tx/Rx Waveguide Modules for 10-Gbit/s Wireless Link System
机译:
10-Gbit / S无线链路系统的120-GHz TX / RX波导模块
作者:
Toshihiko KOSUGI
;
Masami TOKUMITSU
;
Koichi MURATA
;
Takatomo Enoki
;
Hiroyuki TAKAHASHI
;
Akihiko HIRATA
;
Tadao NAGATSUMA
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
InP HEMT;
Millimeter-wave;
MMIC;
Transmitter;
Receiver;
F-band;
120 GHz;
10 Gbit/s;
8.
Deep UV Stepper Based 0.15μm High Power 150mm GaAs pHEMT Process for Millimeter Wave Applications
机译:
基于毫米高功率150mm GaAs Phemt工艺的深紫色步进,用于毫米波应用
作者:
T. Lodhi
;
J. McMonagle
;
R. G. Davis
;
D. M. Brookbanks
;
S. Combe
;
M. Clausen
;
M. F. OKeefe
;
A. Collar
;
J. S. Atherton
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Stepper;
0.15μm;
Manufacturing;
pHEMT;
MMIC;
Millimeter Wave;
9.
Indium Antimonide Based Technology for RF Applications
机译:
基于铟应用的铟应用技术
作者:
T. Ashley
;
L. Buckle
;
M. T. Emeny
;
M. Fearn
;
D. G. Hayes
;
K. P. Hilton
;
R. Jefferies
;
T. Martin
;
T. J. Phillips
;
J. Powell
;
A. W. H. Tang
;
D. Wallis
;
P. J. Wilding
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
electron mobility;
field effect transistors;
high electron mobility transistors;
indium compounds;
quantum wells;
semiconductor device breakdown;
semiconductor device models;
0.5 V;
340 GHz;
FET;
HEMT;
InSb;
electron mobility;
indium antimonide based technology;
power;
10.
3-D Micro Electro Magnetic Radio Frequency Systems (3-D MERFS) and other DARPA RF MEMS Programs
机译:
3-D微电磁射频系统(3-D MERF)和其他DARPA RF MEMS程序
作者:
John D. Evans
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
micromechanical devices;
radiofrequency integrated circuits;
3D MERFS;
3D micro electro magnetic radiofrequency systems;
ASP;
DARPA RF MEMS programs;
Defense Advanced Research Projects Agency;
HERMIT;
MCC;
MEMS technology;
MTO;
Microsystem Technology Office;
analog;
11.
Frequency Scaling and Topology Comparison of Millimeter-wave CMOS VCOs
机译:
毫米波CMOS VCOS的频率缩放和拓扑比较
作者:
K. W. Tang
;
S. Leung
;
N. Tieu
;
P. Schvan
;
S. P. Voinigescu
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Millimeter-wave;
CMOS;
VCO;
Frequency scaling;
Colpitts;
Cross-coupled;
Figure of merit;
12.
Methodology for Simultaneous Noise and Impedance Matching in W-Band LNAs
机译:
W波段LNA中同时噪声和阻抗匹配的方法
作者:
S. T. Nicolson
;
S. P. Voinigescu
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Millimeter-wave circuits;
LNAs;
W-band;
Radio frequency CMOS;
Noise matching;
13.
Deep UV Stepper Based 0.15驴m High Power 150mm GaAs pHEMT Process for Millimeter Wave Applications
机译:
基于紫外线坡度的0.15驴M高功率150mm GaAs Phemt工艺,用于毫米波应用
作者:
T. Lodhi
;
J. McMonagle
;
R. G. Davis
;
D. M. Brookbanks
;
S. Combe
;
M. Clausen
;
M. F. OKeefe
;
A. Collar
;
J. S. Atherton
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
electron beam lithography;
gallium arsenide;
high electron mobility transistors;
millimetre wave field effect transistors;
semiconductor device breakdown;
0.15 micron;
15 V;
150 mm;
85 GHz;
Filtronic Compound Semiconductors;
GaAs;
MMIC;
breakdow;
14.
A Novel E-mode PHEMT Linearized Darlington Cascode Amplifier
机译:
一种新型电子模式Phemt线性化达林顿共录码放大器
作者:
Kevin W. Kobayashi
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
HEMT integrated circuits;
linearisation techniques;
microwave amplifiers;
0.5 micron;
12.5 dB;
13 GHz;
16 GHz;
Darlington cascode amplifier;
E-mode PHEMT linearized amplifier;
active self-bias;
high electron mobility transistor;
Darlington;
ED PHEMT;
IP3-bandwidth;
ca;
15.
Indium Antimonide Based Technology for RF Applications
机译:
基于铟应用的铟应用技术
作者:
T. Ashley
;
L. Buckle
;
M. T. Emeny
;
M. Fearn
;
D. G. Hayes
;
K. P. Hilton
;
R. Jefferies
;
T. Martin
;
T. J. Phillips
;
J. Powell
;
A. W. H. Tang
;
D. Wallis
;
P. J. Wilding
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Indium antimonide;
InSb;
Transistor;
FET;
HEMT;
16.
Single-Chip 24-GHz Synthesizer for a Radar Application
机译:
用于雷达应用的单芯片24-GHz合成器
作者:
Rumen Kozhuharov
;
Anders Jirskog
;
Niklas Penndal
;
Herbert Zirath
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Component;
Radar transceiver;
Frequency modulation continuous wave radar sensor;
MMIC;
17.
High-quality InAlN/GaN high electron mobility transistors on Si (111) by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积Si(111)上的高质量inaln / gaN高电子迁移率晶体管
作者:
Noriyuki Watanabe
;
Haruki Yokoyama
;
Masanobu Hiroki
;
Yasuhiro Oda
;
Takashi Kobayashi
;
Takuma Yagi
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
GaN;
InAlN;
Si;
MOCVD;
HEMT;
18.
X-band AlGaN/GaN HEMT with over 80W Output Power
机译:
X波段AlGaN / GaN HEMT,输出功率超过80W
作者:
Kazutaka Takagi
;
Kazutoshi Masuda
;
Yasushi Kashiwabara
;
Hiroyuki Sakurai
;
Keiichi Matsushita
;
Shinji Takatsuka
;
Hisao Kawasaki
;
Yoshiharu Takada
;
Kunio Tsuda
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
GaN;
HEMT;
Power amplifier;
X-band;
19.
A Reliable Ka-band Sub-harmonic Mixer for Satellite Converters
机译:
用于卫星转换器的可靠的KA波段子谐波搅拌器
作者:
Andreas Adahl
;
Herbert Zirath
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
20.
An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe Bipolar Technology
机译:
SiGe双极技术的84 GHz带宽和20 dB增益宽带放大器
作者:
Saverio Trotta
;
Herbert Knapp
;
Klaus Aufinger
;
Thomas F. Meister
;
Josef Bock
;
Werner Simburger
;
Arpad L. Scholtz
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Ge-Si alloys;
bipolar integrated circuits;
millimetre wave amplifiers;
wideband amplifiers;
-5.5 V;
20 dB;
84 GHz;
990 mW;
SiGe;
bipolar amplifiers;
bipolar technology;
lumped broadband amplifier;
SiGe;
broadband amplifier;
21.
60nm collector InGaAs/InP Type-I DHBTs demonstrating 660 GHz f驴, BVCEO = 2.5V, and BVCBO = 2.7V
机译:
60nm收集器Ingaas / InP类型-i DHBTS演示660 GHzF驴,BVCEO = 2.5V,BVCBO = 2.7V
作者:
Zach Griffith
;
Erik Lind
;
Mark J.W. Rodwell
;
Xiao-Ming Fang
;
Dmitri Loubychev
;
Ying Wu
;
Joel M. Fastenau
;
Amy W.K. Liu
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
gallium arsenide;
heterojunction bipolar transistors;
indium compounds;
millimetre wave bipolar transistors;
semiconductor superlattices;
submillimetre wave transistors;
14 nm;
2.5 V;
2.7 V;
218 GHz;
60 nm;
660 GHz;
InGaAs-In;
22.
InGaP-Plus - A major advance in GaAs HBT Technology
机译:
Ingap-Plus - Gaas HBT技术的主要进步
作者:
Aditya Gupta
;
Bill Peatman
;
Mohsen Shokrani
;
Wojciech Krystek
;
Tom Arell
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
BiFET;
Device integration;
InGaP;
HBT;
pHEMT;
FET;
Manufacturable;
BiCMOS;
GaAs;
23.
Wideband Dual-Gate GaN HEMT Low Noise Amplifier for Front-End Receiver Electronics
机译:
用于前端接收器电子的宽带双栅GAN HEMT低噪声放大器
作者:
Michael V. Aust
;
Arvind K. Sharma
;
Yao-Chung Chen
;
Michael Wojtowicz
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
low noise amplifiers;
semiconductor device reliability;
wide band gap semiconductors;
AlGaN-GaN;
GaAs HEMT;
GaN HEMT;
SiC;
front end receivers;
low noise amplifier;
reli;
24.
HIGH MOBILITY III-V MOSFET TECHNOLOGY
机译:
高移动性III-V MOSFET技术
作者:
M. Passlack
;
R. Droopad
;
K. Rajagopalan
;
J. Abrokwah
;
P. Zurcher
;
P. Fejes
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
MOSFET;
III-V semiconductor;
GaAs;
Enhancement-mode;
Pseudomorphic HEMT;
Charge carrier mobility;
Epitaxial layers;
25.
A High-Power Low-Distortion GaAs HBT Power Amplifier with 3.3 V Supply for 5-6 GHz Broadband Wireless Applications
机译:
高功率低失真GaAs HBT功率放大器,具有3.3 V电源,可实现5-6 GHz宽带无线应用
作者:
Tohru Oka
;
Masatomo Hasegawa
;
Michitoshi Hirata
;
Yoshihisa Amano
;
Yoshiteru Ishimaru
;
Hiroshi Kawamura
;
Keiichi Sakuno
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
bipolar integrated circuits;
gallium arsenide;
linearisation techniques;
microwave power amplifiers;
2nd-harmonic spurious outputs;
3.3 V;
5 to 6 GHz;
GaAs;
broadband wireless applications;
heterojunction bipolar transistor;
high-power low-dis;
26.
60nm collector InGaAs/InP Type-I DHBTs demonstrating 660 GHz f{sub}τ, BV{sub}(CEO) = 2.5V, and BV{sub}(CBO) = 2.7V
机译:
60nm收集器IngaAs / InP类型-I DHBTS演示660 GHz F {Sub}τ,BV {Sub}(CEO)= 2.5V,以及BV {Sub}(CBO)= 2.7V
作者:
Zach Griffth
;
Erik Lind
;
Mark J. W. Rodwell
;
Xiao-Ming Fang
;
Dmitri Loubychev
;
Ying Wu
;
Joel M. Fastenau
;
Amy W. K. Liu
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
InP heterojunction bipolar transistor;
27.
3-D Micro Electro Magnetic Radio Frequency Systems (3-D MERFS) and other DARPA RF MEMS Programs
机译:
3-D微电磁射频系统(3-D MERF)和其他DARPA RF MEMS程序
作者:
John D. Evans
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
28.
Microwave-Frequency InAlP-oxide/GaAs MOSFETs
机译:
微波频率inalp-oxide / GaAs MOSFET
作者:
Y. Cao
;
J. Zhang
;
T. H. Kosel
;
D. C. Hall
;
P. Fay
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
29.
A 3-34 GHz GaAs PHEMT Distributed Mixer with Low DC Power Consumption
机译:
具有低直流功耗的3-34 GHz GaAs Phemt分布式混频器
作者:
Ching-Hung Chiu
;
Kung-Hao Liang
;
Hong-Yeh Chang
;
Yi-Jen Chan
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Coplanar waveguide;
Distributed mixer;
Microwave;
Millimeter-wave (MMW);
30.
A GaN HEMT Class F Amplifier at 2 GHz with > 80 PAE
机译:
一个GaN HEMT类F放大器,2 GHz> 80%PAE
作者:
David Schmelzer
;
Stephen I. Long
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Class F;
Inverse F;
GaN HEMT;
31.
Demonstration of a Sub-Millimeter Wave Integrated Circuit (S-MMIC) using InP HEMT with a 35-nm Gate
机译:
使用35-NM门的INP HEMT示范亚毫米波集成电路(S-MMIC)
作者:
W. R. Deal
;
S. Din
;
V. Radisic
;
J. Padilla
;
X.B. Mei
;
W. Yoshida
;
P.H. Liu
;
J. Uyeda
;
M. Barsky
;
T. Gaier
;
A. Fung
;
L. Samoska
;
R. Lai
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
HEMT integrated circuits;
MMIC amplifiers;
coplanar waveguides;
low noise amplifiers;
2.5 dB;
280 GHz;
3 dB;
300 GHz;
35 nm;
HEMT;
InP;
MMIC amplifiers;
coplanar waveguide;
high electron mobility transistors;
low noise amplifier;
sub-millimeter wave integrated circuit;
32.
Quick Thermal Evaluation Software for GaAs Power MESFET''s
机译:
Gaas Power Mesfet的快速热评估软件
作者:
D.S. Rawal
;
Abhishek Dhanotia
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
gallium arsenide;
mathematics computing;
power MESFET;
power field effect transistors;
thermal resistance;
GaAs;
MATLAB;
MMIC;
channel temperature;
device heat management;
geometrical parameters;
power FET;
power MESFET;
quick thermal evaluation;
33.
Broadband Dual-Gate Balanced Low Noise Amplifiers
机译:
宽带双栅平衡低噪声放大器
作者:
W. R. Deal
;
M. Biedenbender
;
P. H. Liu
;
C. Namba
;
S. Chen
;
M. Sergant
;
J. Uyeda
;
M. Siddiqui
;
R. Lai
;
B. Allen
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Low Noise Amplifier;
HEMT;
Dual-gate;
Balanced amplifier;
34.
An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe Bipolar Technology
机译:
SiGe双极技术的84 GHz带宽和20 dB增益宽带放大器
作者:
Saverio Trotta
;
Herbert Knapp
;
Klaus Aufinger
;
Thomas F. Meister
;
Josef Bock
;
Werner Simburger
;
Arpad L. Scholtz
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
SiGe;
Broadband amplifier;
35.
A 77 GHz Transceiver for Automotive Radar System Using a 120nm In{sub}0.4AlAs/In{sub}0.35GaAs Metamorphic HEMTs
机译:
用于汽车雷达系统的77 GHz收发器,使用120nm在{sub} 0.4alas / {sub} 0.35gaas变形垫圈中
作者:
Kyoungwoon Kim
;
Wooyeol Choi
;
Sungwon Kim
;
Gyungseon Seol
;
Kwangseok Seo
;
Youngwoo Kwon
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Automotive radar;
77GHz;
MHEMT;
MMIC;
Transceiver;
36.
A 70 Gbps 16:1 Multiplexer and a 60 Gbps 1:16 Demultiplexer in a SiGe BiCMOS Technology
机译:
70 Gbps 16:1多路复用器和SiGe Bicmos技术中的多路分解器60 Gbps 1:16
作者:
B. A. Randall
;
S. M. Currie
;
K. E. Fritz
;
G. D. Rash
;
J. L. Fasig
;
B. K. Gilbert
;
E. S. Daniel
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Multiplexer;
Demultiplexer;
SiGe BiCMOS;
37.
120-GHz Tx/Rx Waveguide Modules for 10-Gbit/s Wireless Link System
机译:
10-Gbit / S无线链路系统的120-GHz TX / RX波导模块
作者:
Toshihiko Kosugi
;
Masami Tokumitsu
;
Koichi Murata
;
Takatomo Enoki
;
Hiroyuki Takahashi
;
Akihiko Hirata
;
Tadao Nagatsuma
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
HEMT integrated circuits;
MMIC power amplifiers;
coplanar waveguides;
frequency multipliers;
low noise amplifiers;
modulators;
radio networks;
0.1 micron;
10 Gbit/s;
10.5 dB;
120 GHz;
125 GHz;
ASK demodulator;
ASK modulator;
HEMT;
InP;
Tx/Rx waveguide modules;
carrier ge;
38.
A Novel 43Gb/s 0.2驴m PHEMT 1:4 Demultiplexer
机译:
A Novel 43Gb/s 0.2驴m PHEMT 1:4 Demultiplexer
作者:
Jingfeng Ding
;
Zhigong Wang
;
En Zhu
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
demultiplexing equipment;
gallium arsenide;
high electron mobility transistors;
random sequences;
transmission lines;
-5.0 V;
0.2 micron;
2.0 W;
43 Gbit/s;
DEMUX;
GaAs;
GaAs PHEMT;
PRBS;
SONET OC-768;
demultiplexer;
on-wafer testing;
power dissipati;
39.
Ultra Linear 3.5GHz RF Front-End for OFDM System
机译:
OFDM系统超线性3.5GHz RF前端
作者:
P. Cortese
;
S. David
;
T. Le Toux
;
J. Mayock
;
I. Pilcher
;
J. Sanham
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
MMIC power amplifiers;
integrated circuit packaging;
low noise amplifiers;
microwave switches;
plastic packaging;
10 W;
2.5 dB;
3.5 to 3.8 GHz;
MMIC power amplifier;
OFDM system;
RF front-end module;
WiMAX applications;
error vector magnitude;
low noise amplifier;
ort;
40.
Coplanar 94 GHz Metamorphic HEMT Low Noise Amplifiers
机译:
共面94 GHz变质HEMT低噪声放大器
作者:
Mikko Karkkainen
;
Mikko Varonen
;
Kari A. I. Halonen
;
Mikko Kantanen
;
Timo Karttaavi
;
Rainer Weber
;
Arnulf Leuther
;
Matthias Seelmann-Eggebert
;
Tapani Narhi
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
HEMT integrated circuits;
MMIC amplifiers;
S-parameters;
atmospheric measuring apparatus;
coplanar waveguides;
low noise amplifiers;
meteorological radar;
0.8 V;
100 nm;
15 micron;
17 to 23 dB;
3 to 3.3 dB;
4 micron;
8 to 16 mA;
94 GHz;
MMIC amplifiers;
cloud profiling;
41.
A Ka-band Monolithic Doubly-Balanced Mixer
机译:
一个KA带整体双平衡搅拌机
作者:
Che-Hung Lin
;
Chi-Ming Lin
;
Jui-Chieh Chiu
;
Tzong-Yow Tsai
;
Yeong-Her Wang
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Ka-band;
Doubly balanced mixer;
PHEMT;
MMIC;
42.
A Ka-band Monolithic Doubly-Balanced Mixer
机译:
一个KA带整体双平衡搅拌机
作者:
Che-Hung Lin
;
Chi-Ming Lin
;
Jui-Chieh Chiu
;
Tzong-Yow Tsai
;
Yeong-Her Wang
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
MMIC mixers;
high electron mobility transistors;
26 to 38 GHz;
IF extraction;
Ka-band;
MMIC;
PHEMT;
monolithic doubly balanced mixer;
wide band performance;
Doubly balanced mixer;
Ka-band;
MMIC;
PHEMT;
43.
The Physics of Reliability for High Voltage AlGaN/GaN HFET''s
机译:
高压AlGaN / GaN HFET的可靠性物理学
作者:
R.J. Trew
;
Y. Liu
;
W.W. Kuang
;
G.L. Bilbro
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
gallium arsenide;
gallium compounds;
indium compounds;
power HEMT;
semiconductor device reliability;
wide band gap semiconductors;
AlGaN-GaN;
HFET gate leakage;
HFET reliability;
RF performance;
electron tunneling;
gate elec;
44.
GaN Wide Band Power Integrated Circuits
机译:
GaN宽带电力集成电路
作者:
J. P. Conlon
;
N. Zhang
;
M. J. Poulton
;
J. B. Shealy
;
R. Vetury
;
D. S. Green
;
J. D. Brown
;
S. Gibb
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Gallium Nitride (GaN);
High Electron Mobility Transistor (HEMT);
Linearity;
Power Amplifiers;
Software Defined Radio;
Wide Band;
WiMAX;
45.
From 100 GHz to Terahertz Electronics - Activities in Europe
机译:
从100 GHz到太赫兹电子产品 - 欧洲的活动
作者:
Michael Schlechtweg
;
Axel Tessmann
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
46.
X-band AlGaN/GaN HEMT with over 80W Output Power
机译:
X波段AlGaN / GaN HEMT,输出功率超过80W
作者:
Kazutaka Takagi
;
Kazutoshi Masuda
;
Yasushi Kashiwabara
;
Hiroyuki Sakurai
;
Keiichi Matsushita
;
Shinji Takatsuka
;
Hisao Kawasaki
;
Yoshiharu Takada
;
Kunio Tsuda
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
gallium compounds;
microwave field effect transistors;
microwave power transistors;
power HEMT;
wide band gap semiconductors;
11.52 mm;
3 dB;
30 V;
9.5 GHz;
AlGaN-GaN;
AlGaN/GaN high electron mobility transistors;
CW operati;
47.
Wideband Dual-Gate GaN HEMT Low Noise Amplifier for Front-End Receiver Electronics
机译:
用于前端接收器电子的宽带双栅GAN HEMT低噪声放大器
作者:
Michael V. Aust
;
Arvind K. Sharma
;
Yao-Chung Chen
;
Michael Wojtowicz
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
GaN HEMT;
GaAs HEMT;
Low Noise Amplifier;
Receivers;
Survivability;
Reliability;
48.
Methodology for Simultaneous Noise and Impedance Matching in W-Band LNAs
机译:
W波段LNA中同时噪声和阻抗匹配的方法
作者:
S. T. Nicolson
;
S. P. Voinigescu
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Ge-Si alloys;
MOSFET;
circuit noise;
impedance matching;
low noise amplifiers;
millimetre wave amplifiers;
wideband amplifiers;
1.8 V;
16 mW;
3.8 dB;
30 mW;
4.8 dB;
78 GHz;
90 nm;
94 GHz;
CMOS process;
MOSFET;
SiGe;
SiGe W-band LNA;
impedance match;
49.
A Fully Matched Ku-band 9W PHEMT MMIC High Power Amplifier
机译:
完全匹配的KU频段9W PHEMT MMIC高功率放大器
作者:
C. H. Lin
;
H. Z. Liu
;
C. K. Chu
;
H. K. Huang
;
Y. H. Wang
;
C. C. Liu
;
C. H. Chang
;
C. L. Wu
;
C. S. Chang
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
Ku-Band;
MMIC;
Power amplifier;
PHEMT;
50.
Low Noise Direct Detection Sensors for Millimeter Wave Imaging
机译:
低噪声直接检测传感器,用于毫米波成像
作者:
Jonathan J. Lynch
;
Joel N. Schulman
;
Harris P. Moyer
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
MMIC;
high electron mobility transistors;
indium compounds;
low noise amplifiers;
millimetre wave detectors;
millimetre wave imaging;
millimetre wave receivers;
DARPA MIATA program;
HEMT LNA;
InP;
MMIC detectors;
W band;
direct detection receive;
51.
Energy Efficient Wide Bandgap Devices
机译:
节能宽带隙设备
作者:
John W. Palmour
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
MOSFET;
Schottky diodes;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
2 GHz;
63 W;
GaN;
HEMT;
IEEE 802.16e standard;
MOSFET;
RF applications;
Schottky diodes;
SiC;
broadband WiMax applicati;
52.
InP DHBT IC Technology with Implanted Collector Pedestal and Electroplated Device Contacts
机译:
INP DHBT IC技术采用植入集电极基座和电镀装置触点
作者:
M. Urteaga
;
K. Shinohara
;
R. Pierson
;
P. Rowell
;
B. Brar
;
Z. Griffith
;
N. Parthasarathy
;
M. Rodwell
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
bipolar logic circuits;
electroplating;
emitter-coupled logic;
heterojunction bipolar transistors;
indium compounds;
ion implantation;
DHBT integrated circuit;
InP;
base-emitter junction;
collector-base capacitance;
current mode logic;
electrop;
53.
High Voltage and High Switching Frequency Power-Supplies using a GaN-HEMT
机译:
使用GaN-HEMT的高压和高开关频率供应
作者:
Wataru Saito
;
Ichiro Omura
;
Tomokazu Domon
;
Kunio Tsuda
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
gallium compounds;
power HEMT;
power amplifiers;
power semiconductor switches;
wide band gap semiconductors;
1.9 A;
13.4 W;
13.56 MHz;
27.1 MHz;
380 V;
GaN;
GaN power-HEMT;
GaN-HEMT;
class-E amplifiers;
high frequency switching power-supplies;
high;
54.
94-Gb/s 29-1 PRBS Bit Error Detector IC in InP DHBT Technology
机译:
INP DHBT技术中94-GB / S 29-1 PRBS位误差检测器IC
作者:
Torgil Kjellberg
;
Joakim Hallin
;
Thomas Swahn
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
binary sequences;
bipolar logic circuits;
detector circuits;
error detection;
error statistics;
heterojunction bipolar transistors;
indium compounds;
integrated circuit testing;
random number generation;
random sequences;
-2.5 V;
1.5 W;
94 Gbit/;
55.
CVD Diamond - The Next Generation Electronic Material
机译:
CVD钻石 - 下一代电子材料
作者:
Erhard Kohn
;
Andrej Denisenko
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
56.
CVD Diamond - The Next Generation Electronic Material
机译:
CVD钻石 - 下一代电子材料
作者:
Erhard Kohn
;
Andrej Denisenko
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2006年
关键词:
chemical vapour deposition;
diamond;
semiconductor materials;
CVD diamond;
diamond electronic device structures;
electronic material;
power handling capability;
57.
Advanced Antenna Architectures for THz Sensing Instruments
机译:
用于THz传感仪器的先进天线架构
作者:
Andrea Neto
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Antenna arrays;
Sensors;
Dielectrics;
Lenses;
Optical arrays;
Bandwidth;
58.
AlGaN/GaN HEMT Large Signal Nonlinear Compact Model Accounting for Thermal Effects and Trapping Dispersion
机译:
Algan / GaN HEMT大信号非线性紧凑型模型占热效果和捕获色散
作者:
Liu Yueying
;
Reese Elias
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2013年
59.
Cooling Limits for GaN HEMT Technology
机译:
GaN HEMT技术的冷却限制
作者:
Won Yoonjin
;
Cho Jungwan
;
Agonafer Damena
;
Asheghi Mehdi
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2013年
60.
35nm InP HEMT LNAs at E/W-Band Frequencies
机译:
在E / W波段频率下35nm Inp HEMT LNA
作者:
Nicholas Estella
;
Lani Bui
;
Edmar Camargo
;
James Schellenberg
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Gain;
Noise figure;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
MMICs;
HEMTs;
61.
150 V-Bias RF GaN for 1 kW UHF Radar Amplifiers
机译:
150 V-BIAS RF GaN为1 kW UHF雷达放大器
作者:
Gabriele Formicone
;
Jeff Burger
;
James Custer
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
Gallium nitride;
Power generation;
Power amplifiers;
Transistors;
Impedance;
Iron;
62.
High Power Monolithic pHemt GaAs Limiter for T/R Module
机译:
用于T / R模块的高功率单片PHEMT GAAS限制器
作者:
Binh L. Pham
;
Duy P. Nguyen
;
Anh-Vu Pham
;
Phong D. Le
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Semiconductor diodes;
Gallium arsenide;
Power generation;
Power amplifiers;
PHEMTs;
Bandwidth;
Insertion loss;
63.
Interconnect Technologies for Terabit-per-Second Die-to-Die Interfaces
机译:
互连的每秒模具到模具界面的技术
作者:
Behzad Dehlaghi
;
Rudy Beerkens
;
Davide Tonietto
;
Anthony Chan Carusone
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Substrates;
Crosstalk;
Bandwidth;
Aggregates;
Bit rate;
Insertion loss;
64.
High-Power-Density InAlGaN/GaN-HEMT Technology for W-Band Amplifier
机译:
用于W波段放大器的高功率密度InalGan / GaN-HEMT技术
作者:
K. Makiyama
;
Y. Niida
;
S. Ozaki
;
T. Ohki
;
N. Okamoto
;
Y. Minoura
;
M. Sato
;
Y. Kamada
;
K. Joshin
;
K. Watanabe
;
Y. Miyamoto
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
HEMTs;
MMICs;
Gallium nitride;
Electron traps;
Power amplifiers;
Silicon compounds;
Logic gates;
65.
Broadband GaN DHFET Traveling Wave Amplifiers with up to 120 GHz Bandwidth
机译:
宽带GaN DHFET旅行波放大器,最多可达120 GHz带宽
作者:
David F. Brown
;
Ara Kurdoghlian
;
Robert Grabar
;
Dayward Santos
;
Jesus Magadia
;
Helen Fung
;
Joe Tai
;
Isaac Khalaf
;
Miroslav Micovic
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Bandwidth;
Gallium nitride;
Gain;
DH-HEMTs;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Noise measurement;
66.
Ultra-Low-Power Components for a 94 GHz Transceiver
机译:
用于94 GHz收发器的超低功耗元件
作者:
Seong-Kyun Kim
;
Robert Maurer
;
Arda Simsek
;
Miguel Urteaga
;
Mark J. W. Rodwell
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Gain;
Switches;
Integrated circuits;
Mirrors;
Transceivers;
Power demand;
Phase shifters;
67.
Si-Based Technologies for mmWave Automotive Radar
机译:
基于SI的MMWAVE汽车雷达技术
作者:
J. P. John
;
J. Kirchgessner
;
R. Ma
;
D. Morgan
;
I. To
;
V. P. Trivedi
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Heterojunction bipolar transistors;
Silicon germanium;
Radar;
BiCMOS integrated circuits;
Automotive engineering;
Logic gates;
68.
A 56-Gb/s Transimpedance Amplifier in 0.13-μm SiGe BiCMOS for an Optical Receiver with -18.8-dBm Input Sensitivity
机译:
具有-18.8-DBM输入灵敏度的光接收器的0.13-μmsige bicmos中的56 gb / s跨阻放大器。
作者:
Kentaro Honda
;
Hiroaki Katsurai
;
Masahiro Nada
;
Masafumi Nogawa
;
Hideyuki Nosaka
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Sensitivity;
Bandwidth;
BiCMOS integrated circuits;
Silicon germanium;
Receivers;
Avalanche photodiodes;
Radio frequency;
69.
High-Performance SLCFETs for Switched Filter Applications
机译:
用于切换过滤器应用的高性能SLCFET
作者:
Justin Parke
;
Ron Freitag
;
Matt Torpey
;
Robert S. Howell
;
Eric J. Stewart
;
Megan Snook
;
Ishan Wathuthanthri
;
Shalini Gupta
;
Bettina Nechay
;
Matthew King
;
Pavel Borodulin
;
Karen Renaldo
;
H. George Henry
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Microwave filters;
Insertion loss;
Switches;
Filtering theory;
Field effect transistors;
Logic gates;
MMICs;
70.
Reconfigurable Electronics for Adaptive RF Systems
机译:
适应性RF系统的可重新配置电子产品
作者:
Roy H. Olsson
;
Kyle Bunch
;
Christal Gordon
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
Phased arrays;
Microwave filters;
Field programmable gate arrays;
Bandwidth;
Adaptive arrays;
Microwave circuits;
71.
Prospects for Gallium Nitride-on-Diamond Transistors
机译:
氮化镓 - 钻石晶体管的前景
作者:
J. D. Blevins
;
G. D. Via
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Diamond;
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
Substrates;
Performance evaluation;
Silicon carbide;
72.
A High Efficiency, Ka-Band Pulsed Gallium Nitride Power Amplifier for Radar Applications
机译:
用于雷达应用的高效率,KA波段脉冲氮化镓功率放大器
作者:
Paul Blount
;
Steven Huettner
;
Ben Cannon
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Power amplifiers;
Gallium nitride;
MMICs;
Power generation;
Production;
Power measurement;
Pulse measurements;
73.
A High-Dynamic-Range W-Band Frequency-Conversion IC for Microwave Dual-Conversion Receivers
机译:
用于微波双转换接收器的高动态W波段频率转换IC
作者:
Seong-Kyun Kim
;
Robert Maurer
;
Miguel Urteaga
;
Mark J. W. Rodwell
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Integrated circuits;
Mixers;
Gain;
Impedance matching;
Power harmonic filters;
Radio frequency;
74.
Highly-Integrated Quad-Channel Transimpedance Amplifier for Next Generation Coherent Optical Receiver
机译:
用于下一代相干光接收器的高度集成的四通道跨阻抗放大器
作者:
Rajanish Pandey
;
Greg Takahashi
;
Shanthi Bhagavatheeswaran
;
Eric Tangen
;
Matt Heins
;
Jens Muellrich
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Voltage measurement;
Current measurement;
Bandwidth;
Monitoring;
Gain control;
Optical receivers;
75.
Low Power Ultra-Wide Band LNA Based on Active Impedance Matching Technique for UWB Wireless Communication
机译:
基于主动阻抗匹配技术的低功率超宽带LNA,用于UWB无线通信
作者:
Mantas Sakalas
;
Paulius Sakalas
;
Frank Ellinger
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Noise measurement;
Impedance matching;
Power demand;
BiCMOS integrated circuits;
Gain;
Frequency measurement;
Bandwidth;
76.
X-Band Robust Current-Shared GaN Low Noise Amplifier for Receiver Applications
机译:
用于接收器应用的X波段强大的电流共享GaN低噪声放大器
作者:
Bumjin Kim
;
Weixiang Gao
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Logic gates;
Robustness;
Power amplifiers;
Power generation;
Temperature measurement;
Topology;
77.
Reconfigurable RF Components for Multifunction RF Systems
机译:
用于多功能RF系统的可重新配置RF组件
作者:
Stephen Hary
;
Taylor Barton
;
John Ebel
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
Switches;
Gallium nitride;
Bandwidth;
Switching circuits;
Computer architecture;
Insertion loss;
78.
Silicon Electronics-Photonics Integrated Circuits for Datacenters
机译:
Datacenters的硅电子 - 光子集成电路
作者:
Sudip Shekhar
;
Lukas Chrostowski
;
Shahriar Mirabbasi
;
Spoorthi Nayak
;
Mohammed W. AlTaha
;
Ahmed Naguib
;
Ajith S. Ramani
;
Hasitha Jayatilleka
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2016年
关键词:
Optical waveguides;
Couplers;
Modulation;
Wavelength division multiplexing;
Optical signal processing;
Optical filters;
Laser tuning;
79.
Selective Growth of Diamond in Thermal Vias for GaN HEMTs
机译:
用于GaN Hemts的热通孔中金刚石的选择性生长
作者:
Poust Benjamin
;
Gambin Vincent
;
Sandhu Rajinder
;
Smorchkova Ioulia
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
80.
Advances in High-Speed DACs, ADCs, and DSP for Software Defined Optical Modems
机译:
用于软件定义的光学调制解调器的高速DACS,ADC和DSP的进步
作者:
Laperle Charles
;
Ben-Hamida Naim
;
OSullivan Maurice
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
81.
A DFT Loopback Scheme for ADC ENOB Testing Using an All-Digital ATE
机译:
使用All-Digital ATE测试ADC ENOB测试的DFT环回方案
作者:
Aouini Sadok
;
Kurowski Christopher
;
Ben-Hamida Naim
;
Bousquet Jean-Francois
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
82.
Metamorphic HEMT Technology for Microwave, Millimeter-Wave, and Submillimeter-Wave Applications
机译:
微波,毫米波和亚倍波应用的变质HEMT技术
作者:
Komiak James J.
;
Smith Phillip M.
;
Duh K.H.George
;
Xu Dong
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
83.
Benchmarking of Large-Area GaN-on-Si HFET Power Devices for Highly-Efficient, Fast-Switching Converter Applications
机译:
用于高效,快速切换转换器应用的大面积Gan-on-Si HFET电源装置的基准测试
作者:
Reiner R.
;
Waltereit P.
;
Benkhelifa F.
;
Muller S.
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
84.
Advanced Packaging and Thermal Management for High Power Density GaN Devices
机译:
高功率密度GaN设备的先进包装和热管理
作者:
Zhao Yuan
;
Semenic Tadej
;
Bhunia Avijit
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
85.
Linearity Improvement of GaN HEMT for RF Power Amplifiers
机译:
RF功率放大器GaN HEMT的线性改进
作者:
Inoue Kazutaka
;
Yamamoto Hiroshi
;
Nakata Ken
;
Yamada Fumio
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
86.
Best Practices for System Level ESD Testing of Semiconductor Components
机译:
半导体组件的系统级ESD测试的最佳实践
作者:
Muhonen Kathleen
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
87.
Electrical and Thermal Performance of AlGaN/GaN HEMTs on Diamond Substrate for RF Applications
机译:
AlGaN / GaN Hemts对RF应用的金刚石基板的电气和热性能
作者:
Dumka D.C.
;
Chou T.M.
;
Jimenez J.L.
;
Fanning D.M.
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
88.
Base Resistance Scaling for Transistors of Various Geometries
机译:
各种几何形状晶体管的基本电阻缩放
作者:
Yang Yingying
;
Zampardi P.J.
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
89.
A Novel Technique for GaN HEMT Trap States Characterisation
机译:
GaN HEMT陷阱状态表征的新技术
作者:
Wright Peter
;
Thorsell Mattias
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
90.
Analog Linearization Techniques Suitable for RF Power Amplifiers Used in Integrated Transmitters
机译:
适用于集成发射器中使用的RF功率放大器的模拟线性化技术
作者:
Braithwaite R.Neil
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
91.
A Low-Spurious E-Band GaAs MMIC Frequency Converter for Over-Gbps Wireless Communication
机译:
用于超过GBPS无线通信的低虚假电子带GaAs MMIC变频器
作者:
Morita Yasuhiro
;
Kishimoto Shuya
;
Ito Masaharu
;
Motoi Keiichi
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
92.
A 32-nm CMOS Frequency Locked Loop for 20-GHz Synthesis with ± 7.6 ppm Resolution
机译:
具有±7.6ppm分辨率的20-GHz合成的32nm CMOS频率锁定回路
作者:
Bousquet Jean-Francois
;
Aouini Sadok
;
Ben-Hamida Naim
;
Wolczanski John
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
93.
A Monolithic Integrated mHEMT Chipset for High-Resolution Submillimeter-Wave Radar Applications
机译:
用于高分辨率亚峰波雷达应用的单片集成MHEMT芯片组
作者:
Tessmann A.
;
Leuther A.
;
Massler H.
;
Lewark U.
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
94.
Achieving the Best Thermal Performance for GaN-on-Diamond
机译:
实现Gan-On-indond的最佳热性能
作者:
Pomeroy J.
;
Bernardoni M.
;
Sarua A.
;
Manoi A.
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
95.
A 3-Vppd 730-mW Linear Driver IC Using InP HBTs for Advanced Optical Modulations
机译:
3 VPPD 730-MW线性驱动器IC,用于高级光学调制的INP HBT
作者:
Nagatani Munehiko
;
Bouvier Yves
;
Nosaka Hideyuki
;
Murata Koichi
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
96.
A Geometry Scalable Approach to InP HBT Compact Modeling for mm-Wave Applications
机译:
用于MM波应用的INP HBT紧凑型模型的几何可扩展方法
作者:
Nardmann T.
;
Sakalas P.
;
Chen Frank
;
Rosenbaum T.
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
97.
GaN Transistors - The Best Emerging Technology for Power Conversion from DC through RF
机译:
GaN晶体管 - 从DC通过RF的功率转换的最佳新兴技术
作者:
Lidow Alex
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
98.
A 107 GHz 55 dB-Ohm InP Broadband Transimpedance Amplifier IC for High-Speed Optical Communication Links
机译:
用于高速光通信链路的107 GHz 55 DB-OHM INP宽带减阻放大器IC
作者:
Bloch Eli
;
Park Hyun-chul
;
Griffith Zach
;
Urteaga Miguel
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
99.
Advanced RF IV Waveform Engineering Tool for Use in Device Technology Optimization: RF Pulsed Fully Active Harmonic Load Pull with Synchronized 3eV Laser
机译:
用于设备技术优化的高级RF IV波形工程工具:RF脉冲全主动谐波拉动与同步3EV激光
作者:
Casbon M.A.
;
Tasker P.J.
;
Wang Wei-Chou
;
Lin Che-Kai
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
100.
230-240 GHz, 30 dB Gain Amplifier in INP-HEMT for Multi-10 Gb/s Data Communication Systems
机译:
230-240 GHz,30 dB增益放大器在INP-HEMT中,用于多10 GB / S数据通信系统
作者:
Kawano Yoichi
;
Matsumura Hiroshi
;
Shiba Shoichi
;
Sato Masaru
会议名称:
《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》
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2013年
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