A Fully Integrated 4 $times$ 10-Gb/s DWDM Optoelectronic Transceiver Implemented in a Standard 0.13 $mu{hbox {m}}$  CMOS SOI Technology

Narasimha A.; Analui B.; Liang Y.; Sleboda T. J.; Abdalla S.; Balmater E.; Gloeckner S.; Guckenberger D.; Harrison M.; Koumans R. G. M. P.; Kucharski D.; Mekis A.; Mirsaidi S.; Song D.; Pinguet T.

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A Fully Integrated 4 $times$ 10-Gb/s DWDM Optoelectronic Transceiver Implemented in a Standard 0.13 $mu{hbox {m}}$ CMOS SOI Technology

机译：采用标准0.13 $ mu {hbox {m}} $ CMOS SOI技术实现的全集成4×10 Gb / s DWDM光电收发器

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Optical and electronic building blocks required for DWDM transceivers have been integrated in a 0.13 $mu{hbox {m}}$ CMOS SOI technology. Using these building blocks, a 4 $times$ 10-Gb/s single-chip DWDM optoelectronic transceiver with 200 GHz channel spacing has been demonstrated. The DWDM transceiver demonstrates an unprecedented level of optoelectronic system integration, bringing all required optical and electronic transceiver functions together on a single SOI substrate. An aggregate data rate of 40 Gb/s was achieved over a single fiber, with a BER of less than $10^{-12}$ and a power consumption of 3.5 W.

机译：DWDM收发器所需的光学和电子构建模块已集成到0.13美元的CMOS SOI技术中。使用这些构建模块，已经演示了具有200 GHz信道间隔的4 x 10 Gb / s单芯片DWDM光电收发器。 DWDM收发器展示了前所未有的光电系统集成水平，将所有必需的光学和电子收发器功能集中在一个SOI基板上。通过单根光纤实现的总数据速率为40 Gb / s，BER低于$ 10 ^ {-12} $，功耗为3.5W。

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来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2007年第12期|p.2736-2744|共9页
作者
Narasimha A.; Analui B.; Liang Y.; Sleboda T. J.; Abdalla S.; Balmater E.; Gloeckner S.; Guckenberger D.; Harrison M.; Koumans R. G. M. P.; Kucharski D.; Mekis A.; Mirsaidi S.; Song D.; Pinguet T.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
关键词
CMOS optoelectronic transceiver; high-speed integrated circuits; integrated optical interleaver; photonic integrated circuits; silicon photonics; wavelength division multiplexing;

机译：CMOS光电收发器;高速集成电路;集成光交织器;光子集成电路;硅光子学;波分复用;

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