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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >Wide-band CMOS low-noise amplifier exploiting thermal noise canceling
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Wide-band CMOS low-noise amplifier exploiting thermal noise canceling

机译：利用热噪声消除的宽带CMOS低噪声放大器

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Known elementary wide-band amplifiers suffer from a fundamental tradeoff between noise figure (NF) and source impedance matching, which limits the NF to values typically above 3 dB. Global negative feedback can be used to break this tradeoff, however, at the price of potential instability. In contrast, this paper presents a feedforward noise-canceling technique, which allows for simultaneous noise and impedance matching, while canceling the noise and distortion contributions of the matching device. This allows for designing wide-band impedance-matching amplifiers with NF well below 3 dB, without suffering from instability issues. An amplifier realized in 0.25-Μm standard CMOS shows NF values below 2.4 dB over more than one decade of bandwidth (i.e., 150-2000 MHz) and below 2 dB over more than two octaves (i.e., 250-1100 MHz). Furthermore, the total voltage gain is 13.7 dB, the -3-dB bandwidth is from 2 MHz to 1.6 GHz, the IIP2 is +12 dBm, and the IIP3 is 0 dBm. The LNA drains 14 mA from a 2.5-V supply and the die area is 0.3×0.25 mm2.
机译：已知的基本宽带放大器要在噪声系数（NF）和源阻抗匹配之间进行基本权衡，这会将NF限制为通常高于3 dB的值。全局负反馈可以用来打破这种折衷，但是代价是潜在的不稳定。相比之下，本文提出了一种前馈噪声消除技术，该技术可同时进行噪声和阻抗匹配，同时消除了匹配设备的噪声和失真影响。这样就可以设计NF远低于3 dB的宽带阻抗匹配放大器，而不会出现不稳定问题。在0.25-μm标准CMOS中实现的放大器在超过十倍的带宽（即150-2000 MHz）上显示的NF值低于2.4 dB，在超过两个八度（即250-1100 MHz）上的NF值低于2 dB。此外，总电压增益为13.7 dB，-3-dB带宽为2 MHz至1.6 GHz，IIP2为+12 dBm，IIP3为0 dBm。 LNA从2.5V电源消耗14mA的电流，芯片面积为0.3×0.25 mm2。

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