A 32-word by 32-bit three-port bipolar register file implementedusing a SiGe HBT BiCMOS technology

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2002年第2期|p.228-236|共9页
• 作者

  Steidl S.A.; McDonald J.F.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  BiCMOS memory circuits; Ge-Si alloys; current-mode logic; integrated circuit design; multiport networks; semiconductor materials; 130 to 170 ps; 250 to 340 ps; 290 ps; 32 bit; 340 to 350 ps; 360 to 380 ps; 4.5 V; 4.7 W; HBT BiCMOS technology; SiGe; emitter-coupled logic;

  机译：BiCMOS存储电路;Ge-Si合金;电流模式逻辑;集成电路设计;多端口网络;半导体材料;130到170 ps;250到340 ps;290 ps;32位;340到350 ps;360到380 ps;4.5 V;4.7 W;HBT BiCMOS技术;SiGe;发射极耦合逻辑;