40-Gb/s circuits built from a 120-GHz f/sub T/ SiGe technology

著录项

• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2002年第9期|p.6-1114|共1109页
• 作者

  Freeman G.; Meghelli M.; Kwark Y.; Zier S.; Rylyakov A.; Sorna M.A.; Tanji T.; Schreiber O.M.; Walter K.; Jae-Sung Rieh; Jagannathan B.; Joseph A.; Subbanna S.;

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• 作者单位

  IBM Microelectron., Hopewell Junction, NY, USA;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  Ge-Si alloys; semiconductor materials; high-speed integrated circuits; BiCMOS digital integrated circuits; BiCMOS analogue integrated circuits; heterojunction bipolar transistors; multiplexing equipment; demultiplexing equipment; driver circuits; vol;

  机译：锗硅合金;半导体材料高速集成电路;BiCMOS数字集成电路;BiCMOS模拟集成电路;异质结双极晶体管;多路复用设备;解复用设备;驱动电路;卷;