5.5-V I/O in a 2.5-V 0.25-Μm CMOS technology

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2001年第3期|p.528-538|共11页
• 作者

  Annema A.-J.; Geelen G.J.G.M.; de Jong P.C.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  CMOS integrated circuits; buffer circuits; high-voltage techniques; hot carriers; integrated circuit reliability; 0.25 micron; 2.5 V; 5.5 V; CMOS integrated circuit; I/O buffer circuit; high voltage tolerance; hot carrier degradation; lifetime; oxide stress; reliabili;

  机译：CMOS集成电路;缓冲电路;高压技术;热载流子;集成电路可靠性;0.25微米;2.5 V;5.5 V;CMOS集成电路;I / O缓冲电路;高耐压性;热载流子退化;寿命;氧化应力可靠;