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【2h】

CMOS-NEMS Copper Switches Monolithically Integrated Using a 65 nm CMOS Technology

机译：使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关

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摘要

This work demonstrates the feasibility to obtain copper nanoelectromechanical (NEMS) relays using a commercial complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology (ST 65 nm) following an intra CMOS-MEMS approach. We report experimental demonstration of contact-mode nano-electromechanical switches obtaining low operating voltage (5.5 V), good ION/IOFF (103) ratio, abrupt subthreshold swing (4.3 mV/decade) and minimum dimensions (3.50 μm × 100 nm × 180 nm, and gap of 100 nm). With these dimensions, the operable Cell area of the switch will be 3.5 μm (length) × 0.2 μm (100 nm width + 100 nm gap) = 0.7 μm2 which is the smallest reported one using a top-down fabrication approach.
机译：这项工作证明了采用内部互补的CMOS-MEMS方法使用商业互补金属氧化物半导体（CMOS）技术（ST 65 nm）获得铜纳米机电（NEMS）继电器的可行性。我们报告了接触式纳米机电开关的实验演示，该开关具有较低的工作电压（5.5 V），良好的ION / IOFF（10 3 ）比，突变的亚阈值摆幅（4.3 mV /十倍）和最小尺寸（3.50μm×100nm×180nm，间隙为100nm）。在这些尺寸下，开关的可操作单元面积将为3.5μm（长度）×0.2μm（100 nm宽度+ 100 nm间隙）= 0.7μm 2 下制造方法。

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