碱性铜抛光液在65 nm多层铜布线平坦化中的应用

刘玉岭; 王辰伟; 牛新环; 曹阳

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碱性铜抛光液在65 nm多层铜布线平坦化中的应用

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为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研发了以多羟多胺为螯合剂的不含副作用大的苯并三唑(BTA)的碱性铜布线抛光液.实验结果表明:研发的碱性铜抛光液在常态下对铜几乎不反应(20 (A)/min),而在常压(2psi) CMP下,能够快速地去除铜膜,去除速率(RR)高达8 235(A)/min(工业要求5 000(A)/min).凹处自钝化,凸处快速率,实现了高的平坦化效率.8层铜布线平坦化结果表明,60 s可消除约1.162μm的高低差,且单层图形片基本实现平坦化(高低差＜10 nm),抛光后表面粗糙度低(0.178 nm),表面洁净度高.

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来源
《河北工业大学学报》 |2013年第1期|1-5|共5页
作者
刘玉岭; 王辰伟; 牛新环; 曹阳;
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作者单位

河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津300130;

河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津300130;

河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津300130;

河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津300130;

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正文语种 chi
中图分类表面处理;
关键词
极大规模集成电路; 碱性铜抛光液; 化学机械平坦化; 速率; 高低差;

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