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机译:电化学方法用于超大规模集成电路的铜平面化研究进展
机译:山梨酸钾作为铜化学机械平面化浆料中的抑制剂。第二部分:山梨酸酯对化学机械平面化性能的影响
机译:铜化学机械平面化过程中铜浆界面上的化学作用
机译:调节铜残留的去除剂(CCRR)用于铜化学机械平面化(CMP) - 使用Thomas West Inc的化学发育。的硬多孔垫
机译:通过化学机械平面化对多层金属化结构的铝和铜薄膜进行构图的工艺和机理研究。
机译:调节剂类型和下压力以及垫表面的微观结构对SiO2化学机械平面化性能的影响
机译:在对铜化学机械平面化感兴趣的基于羟胺的化学物质中去除铜的基础研究
机译:化学机械抛光在表面微加工设备平面化中的应用
机译:使用固定研磨垫和铜层化学机械抛光液的铜化学机械抛光工艺,特别适用于使用固定研磨垫的化学机械抛光
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